EDA/IP/IC设计 制造/封测/材料 模拟电子 电源技术 传感/MEMS/导航定位 无线通信/RF/微波 微处理器/DSP系统 嵌入式设计 MCU/工业控制 可编程逻辑器件 光电/显示技术 存储技术 网络/协议 接口/总线设计 EMI 量测技术 设计/认证 渠道/代理商分立元器件
返回首页

美高森美为NPT IGBT产品系列增添多款新器件

时间:2013-04-03 00:00来源:美高森美公司 作者:美高森美公司 点击:

致力于提供帮助功率管理、安全、可靠与高性能半导体技术产品的领先供应商美高森美公司(Microsemi Corporation,纽约纳斯达克交易所代号:MSCC)宣布其新一代1200V非穿通型(non-punch through, NPT) IGBT系列增添十多款全新器件,包括25A、50A和70A额定电流型款。

美高森美的NPT IGBT产品系列设计用于需要大功率和高性能广大范围的工业应用,最新的器件非常适合电焊机、太阳能逆变器,以及不间断电源和开关电源。1200V产品系列中的所有器件均以美高森美的先进Power MOS 8™技术为基础,与竞争解决方案相比,总体开关和导通损耗显著降低20%或更多。

美高森美新的NPT IGBT解决方案与该产品系列中的所有器件相一致,可以与美高森美的FRED或碳化硅肖特基二极管组合封装,为工程师提供高集成度解决方案,以便简化产品开发工作。其它特性包括:
•与同类器件相比,栅极电荷显著减少,具有更快的开关性能; 
•硬开关运作频率超过80KHz,实现高效的功率转换;
•易于并联(Vcesat的正温度系数),提升大功率应用的可靠性
•额定短路耐受时间(Short Circuit Withstand Time Rated, SCWT),在需要短路能力的应用中实现可靠运作

除了器件优势之外,美高森美为NPT IGBT器件提供贴片 D3封装,可让设计人员实现更高的功率密度和更低的制造成本。

封装和供货

美高森美的1200V NPT IGBT产品系列现在包括20多款器件,额定电流有25A、40A、50A、70A和85A,IGBT产品采用D3、TO-247、T-MAX、TO-264和SOT-227封装供货。

新器件现在正在生产,要了解更多的信息,或获取产品样品,请发送电邮至sales.support@microsemi.com,或者联络当地分销商和美高森美销售代表。

关于美高森美公司 

美高森美公司(Microsemi Corporation,纽约纳斯达克交易所代号:MSCC) 为通信、国防与安全、航天与工业提供综合性半导体与系统解决方案,产品包括高性能、耐辐射的高可靠性模拟和射频器件,可编程逻辑器件(FPGA)可定制单芯片系统(SoC) 与专用集成电路(ASIC);功率管理产品、时钟与语音处理器件,RF解决方案;分立组件;安全技术和可扩展反篡改产品;以太网供电(PoE)IC与电源中跨(Midspan)产品;以及定制设计能力与服务。美高森美总部设于美国加利福尼亚州Aliso Viejo,全球员工总数约3,000人。欲获取更详尽信息,请访问网站:http://www.microsemi.com。 
 

(责任编辑:kevin)
(0)
0%
------分隔线----------------------------
发表评论
请自觉遵守互联网相关的政策法规,严禁发布色情、暴力、反动的言论。
评价:
表情:
用户名:密码: 验证码:点击我更换图片
推荐内容