2014年9月16日--意法半导体最先进的STripFET™ F7 系列低压功率MOSFET产品新添三款100V汽车级产品。STH315N10F7-2、STH315N10F7-6和 STP315N10F7优化了body-drain diode （体-漏极二极管）性能，在工作电压范围内最大限度降低峰值电压脉冲和开关噪声，实现更稳健、更可靠和更高效的设计。
STripFET™ F7的增强型槽栅结构可降低通态电阻，同时降低内部电容和栅电荷，使开关速度更快、能效更高。这三款产品将这些优势引入汽车市场，创下汽车市场上最低的RDS(on) x 面积和关断电能(Eoff)参数。
新产品对Crss/Ciss 电容比进行了优化设计，以最大限度降低开关噪声，结合适合的二极管反向恢复软度，可降低EMI/EMC电磁辐射，因此无需外部滤波电路，从而降低了电路板面积和成本。
新功率MOSFET是意法半导体针对汽车应用专门优化的产品，能够满足汽车应用对大电流、高功率密度和高能效的要求，目标应用包括混动汽车和电动汽车的DC/DC转换器、DC/AC逆变器和谐振LC转换器。
三款产品全都获得AEC-Q101汽车级产品认证。STH315N10F7-2和STH315N10F7-6 采用低杂散电感、高输出电流的H2PAK封装，而STP315N10F7采用标准的TO-220封装。
STH315N10F7-2和STH315N10F7-6现已量产。
如需了解更多详情，请浏览：http://www.st.com/agstripfetf7
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意法半导体2013年净收入80.8 亿美元。详情请访问公司网站www.st.com。
