Vishay发布其E系列器件的首颗500V高压MOSFET
前言：
新器件具有E系列600V和650V MOSFET的相同优点，具有高效率和高功率密度
2014年10月9日--日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新的500V家族里首款MOSFET--- SiHx25N50E，该器件具有与该公司600V和650V E系列器件相同的低导通电阻和低开关损耗优点。新器件的低导通电阻和栅极电荷在高功率、高性能的消费类产品、照明应用和ATX/桌面PC机开关电源(SMPS)里将起到节能的重要作用。
Vishay Siliconix SiHx25N50E 500 V MOSFET使用第二代超级结技术，为采用高性能平面技术的Vishay现有500V D系列器件补充了高效率产品。这些25A器件的导通电阻为145mΩ ，提供TO-220 (SiHP25N50E)、TO-247AC (SiHG25N50E)和细引线的TO-220 FULLPAK (SiHA25N50E)等多种封装选项，这些低外形封装适用于薄型消费类产品。
新的MOSFET具有57nC的超低栅极电荷，栅极电荷与到导通电阻乘积也较低，该参数是功率转换应用里MOSFET的优值系数(FOM)。与Vishay的600V和650V E系列器件类似，500V技术具有低导通电阻和优化的开关速度，能够提高功率因数校正(PFC)、双开关正激转换器和反激转换器应用里的效率和功率密度，
器件符合RoHS，可承受雪崩和开关模式里的高能脉冲，保证极限值通过100% UIS测试。
器件规格表：
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器件 |
ID (A) @ 25 °C |
RDS(on) (mΩ) @ 10 V (最大值) |
QG (nC) @ 10 V (典型值) |
封装 |
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SiHG25N50E |
25 |
145 |
57 |
TO-247AC |
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SiHP25N50E |
25 |
145 |
57 |
TO-220 |
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SiHA25N50E |
25 |
145 |
57 |
细引线TO-220 FULLPAK |
VISHAY简介
Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市（VSH）的“财富1000 强企业”，是全球分立半导体（二极管、MOSFET和红外光电器件）和无源电子元件（电阻器、电感器、电容器）的最大制造商之一。这些元器件可用于工业、计算、汽车、消费、电信、军事、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备。凭借产品创新、成功的收购战略，以及“一站式”服务使Vishay成为了全球业界领先者。有关Vishay的详细信息，敬请浏览网站 www.vishay.com。
