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Qorvo® 新款GaN 50V 晶体管可大幅提升系统功率性能

本文作者：Qorvo 点击： 2016-06-02 10:09

前言：

不断壮大的 GaN 系列的最新成员，专门用于提升雷达、通信及航空电子等系统的功率性能

2016年6月2日--移动应用、基础设施与航空航天、国防等应用中领先的RF解决方案供应商Qorvo, Inc.（纳斯达克代码：QRVO）今日宣布，推出六款全新50V氮化镓（GaN）晶体管---QPD1009和QPD1010，以及QPD1008（L）和QPD1015（L），专门设计用于优化商业用雷达、通信系统及航空电子应用的功率性能。

Qorvo 国防与航空航天产品总经理Roger Hall表示：“全新50V GaN晶体管系列通过提供更高功率增益和功率附加效率来提升系统性能。Qorvo可以更好地实现相位阵列雷达等先进设备的要求，提供更高性能，同时管理好尺寸、成本和功率。”

Qorvo的全新50V GaN晶体管系列可通过更出色的系统级效率大幅节省操作和系统成本。该系列采用小尺寸和较高阻抗输入/输出引线，可帮助优化雷达、通信、航空电子、宽带放大器和测试仪表的电路板设计。

QPD1009和QPD1010现在采用低成本的3x3mm QFN塑料封装，而QPD1008（L）和QPD1015（L）现在则采用行业标准的热性能增强型NI-360气腔陶瓷封装，提供有耳式和无耳式版本。该GaN晶体管系列的工作功率水平为 10W至125W。

Qorvo是全球领先的GaN RF供应商*。自1999年起，Qorvo 就一直在推动GaN研究和创新，提供经过检验的GaN电路可靠性和紧凑型、高效率产品。Qorvo于2014年完成了GaN on SiC计划。公司还是唯一一家达到制造成熟度（MRL）9级的GaN供应商。Qorvo一直推动GaN产品的下一代系统创新（从直流到Ka频段），凭借其可靠性能、低成本维护和长运行寿命，成功实现从工厂到现场的转变。

Product	Psat (W)	Freq (GHz)	Output Power (P3dB)	PAE (%)	SS Gain (dB)	Packaging (mm)
产品	Psat (W)	频率 (GHz)	输出功率 (P3dB)	PAE (%)	SS 增益 (dB)	封装 (mm)
QPD1009	15	DC-4	42	72	24	3x3 QFN
QPD1010	10	DC-4	40	70	25	3x3 QFN
QPD1008	125	DC-3.2	51	70	18	Earless NI-360
						无耳式 NI-360
QPD1008L	125	DC-3.2	51	70	18	Eared NI-360
						有耳式 NI-360
QPD1015	65	DC-3.7	48	70	20	Earless NI-360
						无耳式 NI-360
QPD1015L	65	DC-3.7	48	70	20	Eared NI-360
						有耳式 NI-360

关于Qorvo
Qorvo (Nasdaq: QRVO)是移动应用、基础设施与航空航天、国防等应用中领先的RF解决方案供应商。Qorvo致力于为实现全球互联的各种应用提供解决方案，并拥有业内最广泛的产品组合和核心技术；通过ISO9001、ISO 14001和ISO/TS 16949认证的世界级工厂；面向砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)、体声波(BAW)产品与服务并经过美国国防部(DoD)认可的“可信任供应商”（1A级）。Qorvo的调制器驱动器、TIA 和线性驱动器广泛应用于全球的许多10、40和100+G 光学系统中。这些器件不仅可支持更高数据速率所需的尺寸、功率和性能，而且还满足新一代光纤网络的高线性度要求。

如欲了解更多领先的核心射频解决方案，敬请访问: www.qorvo.com

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