智能车的电子系统日益复杂,控制中枢亦须与时俱进。在车用微控制器 (MCU)/系统单芯片 (SoC) 独霸一方的瑞萨电子 (Renesas Electronics) 认为,当人们对油电混合车/电动车 (HEV / EV) 行驶距离的期望值越来越高,MCU 计算效能及功能整合势必随之升级,才能制造效率更高、体积更小的马达变频器;另须配备大容量闪存 (Flash) 与防护机制,以精确支持各国环境法规与标准,并允许空中传输 (OTA),通过无线网络联机来诊断、更新或还原控制程序,简化维护作业与成本。值得留意的是,"半导体工艺"的世代更迭,居间角色十分吃重。
车用 MCU 要件:多核心、低功耗、大存储、高整合
瑞萨电子全球业务执行副总裁 MANABU KAWASHIMA (川嶋学) 主张,"高效稳固的多核心、低功耗且预防过热、增加程序存储容量、高度整合前沿及通信功能,是今后自驾、环保智能车 MCU 的必要条件"。首先,要与 3D 雷达合作无间,以监测车辆四周环境、实现高精度感测;其次,须整合多个传感器数据,并具备实时判断的能力;再者,须让电子控制单元 (ECU) 能快速处理复杂的控制任务,包括失效稳定运作能力,并协调、控制多个 ECU;最后是提高整体系统的能源效率及功能安全,以符合更严格的排放法规。
照片人物:瑞萨电子全球业务执行副总裁 MANABU KAWASHIMA (川嶋学)
新世代环保汽车的引擎,需要强大计算效能来运作燃油系统,以及大容量的内嵌闪存来容纳更庞大的韧体程序。事实上,瑞萨对于工艺技术的投资一直相当积极。当同业大都还停留在 65 / 55 nm,瑞萨已率先使用 40 nm 量产 MCU;现今更与台积电 (TSMC) 合作最高端的 28 nm eFlash (嵌入式闪存) MCU 工艺——结合瑞萨高可靠、高速的"金属氧化氮氧化硅"(MONOS) eFlash,与台积电高效能、低功耗的 28 nm 高介电层金属闸技术。新产品拟于今年供样、2020 年开始量产,可较 40 nm 提升四倍以上的内存与效能。
MONOS 闪存单元的每个晶体管是以"硅"为基础、由氧、氮、氧三层组成,顶端有一个金属控制闸极;瑞萨立足先前 MONOS 的既有成果之上,研发适用于 MCU 内部闪存的分离闸 (SG) 结构;全新鳍状结构"SG- MONOS"闪存能赋予 MCU 高可靠性、高速和低功耗特点,以进行更实时、安全的计算和控制。KAWASHIMA 援引市调资料指出,预估车用电子 2015~2020 年之年复合成长率以油电混合车/纯电动车的 18% 最高,高级驾驶辅助系统 (ADAS) 的 17% 次之;因此,上述两者也是瑞萨的重点投资区块。
图1:瑞萨在半导体工艺处于领先地位
资料来源:瑞萨电子
●IMTS 电路技术与逆变器,改善电动车能源效率
在 HEV / EV 方面,瑞萨今年初推出专用于电机控制的"智能电机定时器系统"(IMTS) 电路技术,以改善电机控制的能源效率。这类车款的 ECU 需要高端的功能和复杂的控制软件,会增加 MCU 处理负载;但另一方面,又须限制 MCU 热能、让 MCU 内部电路 (包括 CPU 核心或内核) 维持在较低的工作频率,以免高温环境有损组件可靠性。两相权衡的结果,往往对整体性能形成桎梏;而瑞萨独立于 CPU 之外的 IMTS 能自主运行,采集感测数据并加以计算、输出数值至 CPU,可为 CPU 腾出更多容量供高阶演算能源效率使用。
此外,有鉴于逆变器 (Inverter) 与电力效率关系匪浅,继数年前的 2.9 L、50 kW 级逆变器后,瑞萨近日再推出 3.9L、100 kW 方案,包括最大化电机性能软件以及 MCU、绝缘栅双极晶体管 (IGBT)、快速恢复二极管 (FRD) 等功率半导体器件,将原型变频器系统的规格分析、软/硬件开发和电机特性调整时间,从 2~3 年压缩至一年。瑞萨尤其看好中国大陆在纯电动车市场可望引领潮流;为壮大本土生态系并加速业务成长,今年三月在中国大陆增设业务单位,以自家 IGBT 芯片为起点,携手当地功率模块和一阶逆变器供货商,冀向外逐层串联系统代工厂。
图2:瑞萨拟在 2020 年之前,与中国大陆伙伴共同建立符合当地法规标准的新型商业模式
资料来源:瑞萨电子
●"Autonomy"开放平台,创新加速器与功能验证
至于 ADAS,从感测、认知、人机接口 (HMI) 到控制,瑞萨 RH850 / R-Car MCU 皆可应对自如;今年美国 CES 上,瑞萨更成功展示智能相机、雷达、车联网 (V2X)、自动驾驶计算、数据融合、路由、规划、导航、信息娱乐、驾驶监视、电动马达、煞车、操舵等多项自驾车技术。去年并购 Intersil 后,瑞萨将可在车内娱乐显示与 ADAS 的绝对利基外,补强在抬头显示、显示/摄像网络和电池管理的能量。特别一提的是,瑞萨日前发表一款名为"Autonomy"的开放平台,涵盖云服务、感测、决策和控制的"端到端"(End- to- End) 解决方案。
"Autonomy"开放平台为系统制造商提供 IP 内核选项 (包括硬件加速器),协助在最低功耗下、实现最高性能的架构和算法,兼顾安全与灵活,亦深受半导体同业赞许。亚德诺 (ADI) 近期便与瑞萨展开 77 / 79 GHz 汽车雷达的技术合作,将瑞萨 RH850 / V1R-M MCU 与 ADI Drive360 高端 28nm CMOS 射频到位 (RF-to-bit) 技术无缝连结;新诞生的传感器展示器件可在更远的距离,更早侦测到体积更小、速度更快的移动物体,提升驾驶安全性并减少雷达系统整合工作,为用户提供系统级的数字互通,进而降低汽车 OEM 和一线供货商的评估风险。
图3:瑞萨"Autonomy"开放平台,贯穿感测、认知决策、控制及云服务
资料来源:瑞萨电子
●R-Car V3M:基于"Autonomy"平台的首款图像识别 SoC
聚焦于启动"新车评估程序"(NCAP) 的瑞萨,本身亦为"Autonomy"开放平台发表首款高性能图像识别 SoC——R-Car V3M。因为观察到安装在挡风玻璃旁的 ADAS 相机常曝露在阳光直射的环境中,低功耗 SoC 及散热至关重要,否则可能影响到自动紧急煞车等功能;而内建影像信号处理器 (ISP) 的 R-Car V3M,不需额外前置摄像头或外部影像组件,既可降低功耗和系统成本、又能增强传感器的原始图像质量,适用于智能型摄像、环景影像、光学雷达 (LiDAR) 等电脑视觉。
R-Car V3M 集成两个用于编程的 ARM Cortex-A53 和两个执行"汽车开放系统架构"(AUTOSAR) 的 Cortex-R7 锁步 (lock-step) 内核,支援光流 (optic flow)、物体检测/分类和"卷积神经网络"(Convolutional Neural Network, CNN) 等算法,能实时检测交通标志、车道、行人、车辆和其他障碍物,且符合 ISO26262 ASIL-C 安全需求。瑞萨另有多种 ASIL-B SoC (R-Car M3 和 R-Car H3) 和 ASIL-D MCU (RH850 / P1X 系列) 的 ADAS 应用;其中,以 R-Car H3 SoC 为基础的第二代 ADAS 检视套件最多可配置八部摄像头,以加速检视应用软件之评估与开发。
图4:R-Car V3M 适用于智能型摄像、环景影像、光学雷达 (LiDAR) 等电脑视觉
数据源:瑞萨电子
●"检视应用"是下一个 ADAS 与自驾技术的未来
瑞萨预言,能辨识四周环境的 360∘环景检视,可经由传感器融合 (Sensor Fusion) 处理从汽车摄像头与雷达所收集到的信息,将成为所有汽车的基本配备。与此同时,"后视镜将被摄像头取代,而驾驶监控将成为自动驾驶安全的必要功能"——以摄像头为基础的电子后视镜具备物体侦测能力、可改变检视的视角,并提供影像缩放功能;另由于自动驾驶等级三以上的汽车,在某些情况下仍需驾驶者介入操作,驾驶监控将建构更安全的驾驶环境,且有助于监控驾驶人的注意力。简言之,新一代电子后视镜、驾驶监控及环景系统等检视应用,未来将成为标配。
因应上述趋势,瑞萨推出全功能 ADAS 检视套件,包括"R-Car 入门套件 Premier"汽车软件开发环境、可在线取得的 ADAS 应用程序软件范例,以及校正环景检视影像失真的软件。其软件范例的二进制代码及任意视点的 R-Car H3 内嵌 GPU 核心,能以 4k 超高分辨率 (UHD) 组合环景检视与智能型摄像头画面的迭层并动态呈现;再利用瑞萨的影像转换处理 (IMR) 技术针对原始码修正影像失真,不需另加 GPU 或 CPU 即能达到静态效果。此外,GPU 的 OpenCL 可供软件工程师借助认知功能实作强化安全功能。
图5:瑞萨 ADAS 检视套件
数据源:瑞萨电子
智能车朝自动/无人驾驶前进,"安全"是最大挑战
台湾瑞萨电子营销事业部兼营业暨应用技术事业部协理王裕瑞补充,智能车朝自动/无人驾驶方向发展实属必然,惟具体时程仍取决于市场与各国法规;预估先进国家的步伐应会较早。自动驾驶在不同时间点会有不同的技术和法规压力,须经历过渡期考验,而"安全"是最大挑战。瑞萨 R-Car SoC 安全驾驶系统方案,以 eFlash MCU 为基础,支持安全驾驶必备的自动煞车、自动转向及自动姿态控制等功能,结合防护感测、连网及安全技术,就是专为自动驾驶时代而生。
王裕瑞并提到,媲美飞机驾驶舱的汽车驾驶舱数字控制环境技术已到位,BMW 等高级车都有类似配备;于是,瑞萨第二代整合式驾驶舱平台,旨在为仪表显示系统、车辆信息、以及信息娱乐领域同时带来弹性、扩充性与个人化。最新的第三代更直奔汽车运算平台而来,高端的 40 nm eFlash MCU、90 nm BiCD 模拟器件、小巧的 HEV 变频器,以及 40 nm 马达微控制器与高效率 IGBT 功率器件,并将信息科技融入车辆,皆是为了追求更好的安全驾驶体验与更高的引擎效率。
照片人物:瑞萨电子营销事业部兼营业暨应用技术事业部协理王裕瑞
"半导体的开发需要冗长的时间并建立良好的信用与合作关系,加上软件与硬件的整合,才能架构整体解决方案,在汽车电子领域更是如此;而瑞萨在此领域已建立优良信誉,不断创新以迎合市场需求,加上 R-Car 联盟在全球拥有 195 个关键技术厂商的社群支持,系统商可依据本身需求寻找适当合作伙伴,创造最大价值,是我们最大优势所在",王裕瑞总结。