1966 年，是半导体产业史上一个重要的时间刻度，长期致力于为尖端科技制造改善良率、拓展经济规模效益的英特格 (Entegris) 亦诞生在这一年，可谓一路伴随半导体产业成长；在污染控制、关键材料处理与先进工艺材料居领导地位，现手握超过 2,000 项专利，半导体对其营收贡献高达 77%。Entegris 台湾分公司总经理谢俊安介绍，他们有三大核心事业体：特用气体／化学材料供应、滤心／滤材微污染控制以及化学品／晶圆运输，旨在＂防患于未然＂，为半导体创造更洁净的生态系，加速量产及工艺成熟。
原料进厂到产品出货路漫漫，污染源防不胜防
污染威胁无所不在，常用来除去硅晶表面氧化物的氢氟酸 (HF) 及双氧水、氨水，在进料之初可能就存在污染粒子；另化学厂无尘室的洁净程度？空气中的污染粒子是否会趁虚而入？诸如此类都是危险因子。尤其，台湾虽是半导体重镇，却没有能制造特殊化学原料的厂商，需要外购；这些原物料制造完毕、开始打包空运或海运的过程若发生碰撞，这些装载的强酸、强醶或因腐蚀造成二次污染；千里迢迢到达目的仓储后，上述内容物是否会再把塑料容器的微粒子洗出来？待转至晶圆厂手中，到下游封测又是层层关卡，任何环节都可能遭受污染。
照片人物：Entegris 台湾分公司总经理谢俊安
在 10 nm、7nm 先进节点导入 EUV (超紫外线) 微影光刻技术后，工艺将愈趋复杂——以往 28 nm、45 nm 只需一次曝光或单纯的浸润式曝光就可实现，但先进节点须多次曝光才能达阵，在污染控制上更须谨慎：因为致命污染粒子的体积也会随着缩小，一样有落入线径空隙的危险、惟处理难度更高；每次曝光若以 90% 良率计算，多次相乘下来，良率将大打折扣！因此，需要更纯净的化学原料和＂滤净＂能力，以及研发、制造、出货的一条龙管理。
谢俊安表示，放眼同业、虽然在某段工艺中拥有出色解方，但 Entegris 却是目前唯一能从头至尾提供完善统整方案的厂商。日前所发表的＂OKTOLEX 薄膜技术＂，将薄膜特性与特定污染物的吸收机制作匹配，可强化各种薄膜原有拦截机制、过滤重要的光化学污染物；由于抽吸速度更快，还能减少机台停机时间且不会与化学品的组成产生不良反应，有助提升用于逻辑、DRAM 和 3D NAND 设备的 ArF、KrF 和 EUV 微影光刻效率和产能。
＂研发、生产、品管、出货＂合体服务全球
另稍早针对半导体工艺应用中的腐蚀性化学品、于今年 7 月推出的＂INTEGRA Plus WS 堰式阀＂，采用更精简的流动路径及创新、单件、免黏着剂的隔膜设计，可直接将隔膜黏附在阀体作动器，为真空应用省下隔膜分离并提高阀的使用寿命。该款堰式阀提供 PrimeLock、Flaretek 和 PureBond 导管接头，允许一个接口使用 PrimeLock 或 Flaretek、另一接口使用 PureBond，特殊型态设计让系统具备高灵活度，可轻易安装到任何流体处理系统内；此外，其高纯度、可耐受化学品的 PFA / PTFE 材质可维持化学品纯度，且体积小、不会占用太多设备内部空间。
更重要的是，经过数月运行，此款堰式阀已证实能为超纯度大量化学品和 CMP 研磨液应用，提升较同业高出 70% 流量效能。再者，有鉴于配管和管线等工艺工具的金属组件所造成的污染，是腐蚀性气体内污染物生成最主要的来源——如：铬、铁、锰、钼和镍等过渡金属，还有钠、钙和铝等金属族，都会使 CMOS 闸极堆栈衰退并缩短承载盒的使用寿命。采用高阶专利媒介吸收剂的 GATEKEEPER 腐蚀性＂气体纯化器”(GPU)，搭配可抗镍腐蚀的 3 nm 微粒过滤，其特殊设计可同时去除 18 种不同气体内的湿气并捕捉挥发性金属微粒，包括 Cl2、HBr、HCl、CF4、BCl3、SO2 和 SF6 等，为半导体与晶圆工艺提供同级最佳出口纯度。
图：Entegris 为半导体工艺提供一条龙式服务
资料来源：Entegris 提供
依工艺气体测量，15 ppb 挥发性金属湿气去除规格，容量为坊间纯化器两倍以上，且纯化器使用寿命更长；它可用于干式蚀刻和磊晶工艺，无任何安装方向限制，也可安装在任何目标腐蚀性气体输送系统内。继 1990 年于台湾设立分公司，Entegris 近日宣布扩建位于新竹的台湾技术研发中心 (TTC)，将专门开发过滤媒介的微污染控制实验室 (MCL) 与亚洲应用开发实验室 (AADL) 合而为一，从事微量金属、有机污染物和纳米微粒的分析；立足台湾、服务全球，建立贯穿研发、工业化生产、品管到出货的单一厂外合作据点，以缩短解决方案周期。
