在半导体不到百年的历史轨迹中，大部分的演进是由上而下推展；然物联网 (IoT) 脚步的逼近，带动许多穿戴式、嵌入式的创新连网设备问世，外观样貌不像计算机、手机一般＂循规蹈矩＂，电子组件对体积与功耗也有更严苛的要求。
在市场殷切期盼下，加上环保意识高涨、摩尔定律亦不再所向披靡，迫使上游设计、制造端不得不从工艺和材料源头寻求解决之道。工艺微缩下的电镀 (Plating)、光阻剥离 (Stripping)、蚀刻 (Etching)，在在充满挑战。
为增进倒装芯片 (Flip Chip)、扇出型 (Fan- out) 等先进封装的良率及组件可靠度，铜柱凸块 (Copper Pillar Bump, CPB) 电镀须加大纵深、拉高＂深宽比＂(aspect ratio)；系统级封装 (SiP) 的黏晶／焊接材料质地须精细；填胶手法须更迅速有效……。总之，孔洞或气泡 (Void) 是这些工序的最大公敌，必须极力避免。
另一方面，软性电路板需求兴起，让 3D 打印＋奈米气溶胶喷涂＋激光烧结技术前景看俏；为防堵有机杂质作祟，电浆感测与色材也有长足进展。此外，智能工厂的导入与一条龙式的原料控管，对工艺有着绝对的帮助。以上种种，不只是 IC 设计业者所关注的头等大事，也是系统开发者慎选元器件的重要参考。
