氮化镓 (GaN) 早在上世纪九Ｏ年代就应用于发光二极管 (LED)，如今市场涵盖光电、功率和射频 (RF) 半导体器件；惟对于高压半导体来说，碳化硅 (SiC) 更具竞争力。虽有传闻 GaN 功率不断提升可能侵蚀 SiC 部分市场，但安森美半导体 (ON) 电源方案部产品市场经理王利民并不认同这种说法：＂恰恰相反！就功率器件领域来说，坊间已有大量 650 V SiC MOSFET (金属氧化物半导体场效晶体管，简称 MOS) 问市，其实正在蚕食部分 GaN 功率器件市场＂。即便如此，氮化镓在功率器件的成长性依旧看好，只是市场容量远不如碳化硅。
照片人物：安森美半导体 (ON) 电源方案部产品市场经理王利民
王利民表示，SiC 技术更新很快、成本趋向合理，其市场容量亦将随着电动车市场飞速增长，而安森美的竞争优势在于：提供领先且可靠的 SiC 产品方案、高性价比 SiC，且所有 SiC 都符合车规质量——全面的 SiC 分立器件／模块以及包括 SiC MOSFET 和 SiC 二极管的＂全生态＂解决方案，并备有多代技术产品。目前 SiC 二极管有 650/1200/1700 V 三种规格，SiC MOSFET 除既有 900V 和 1200V 外，今年再添 650/750V/1700 V 三款新品 (现提供样品)。今年 7 月还发布用于太阳能逆变器 (inverter) 的全 SiC 功率模块——NXH40B120MNQ 系列。
NXH40B120MNQ 随即已获台达电子用于 M70A 三相太阳能电池 (光伏组串) 逆变器。王利民说明，SiC 功率模块提供低导通 (Eon) 和关断损耗 (Eoff)，可支持更高的开关频率，满足＂高能效、低反向恢复和快速开关＂需求，提高逆变能效。NXH40B120MNQ 集成一个 1200V、40mΩ SiC MOSFET 和双升压的 1200V、40A SiC 升压二极管，整合度高且引脚分配已针对逆变器设计进行优化。这些易用模块可根据用户喜好采用无焊压合连接和客户定义的热接口选项。
另一款工业级 NTHL080N120SC1 和符合 AEC-Q101 的汽车级 NVHL080N120SC1 SiC MOSFET，专供汽车 DC-DC、车载充电器、太阳能、不断电系统 (UPS) 及服务器电源使用。其低漏电流、具低反向恢复电荷的快速本征 (intrinsic) 二极管，可大幅降低功耗，支持更高频率工作和更高功率密度，低导通损耗及关断损耗／快速导通及关断结合低正向电压降低总功耗，因而减少散热要求。更重要的是，低电容可支持很高频率开关的能力，减少电磁干扰 (EMI) 问题；同时，更高浪涌、雪崩能力和短路保护可增强整体强固性，提高可靠性并延长使用寿命。
图：安森美 NXH40B120MNQ 全 SiC 功率模块 (左)、NxHL080N120SC1 SiC MOSFET (右)
资料来源：安森美提供
