传统认知上，若频率稍高、但电压或功率不是很高时采用硅基 MOSFET (金属氧化物半导体场效晶体管，简称 MOS)；高频低压或低频高压用 IGBT (绝缘栅双极晶体管)；高频高压用碳化硅 (SiC) MOS，而电压、功率不大但需高频则采用氮化镓 (GaN)。相较于硅基 IGBT，SiC 的导通电阻更低，可降低功率器件体积，有助于新能源汽车的轻量化。罗姆半导体 (ROHM) 台湾技术中心副理唐仲亨表示，就目前发展趋势来看，SiC 与 GaN 重迭性不高：SiC 以大电压、大电流为主，用于一些三相电源的应用场合或是逆变器，SiC MOS 未来或会影响 IGBT 区块。
照片人物：罗姆半导体 (ROHM) 台湾技术中心副理唐仲亨
GaN 则是以高频、高功率密度及小型化为主，用于服务器、快充及适配器 (adapter) 等。值得留意的是，由于 GaN 组件耐压与硅基 MOS 差不多，且切换损耗较低，未来或将侵蚀硅基超级结 (Super junction) MOS份额。唐仲亨分析，目前电动机车的电池电压在 100V 以下且功率小，不会是 SiC 器件的目标市场；而电动车的电池约 400～500V、未来更有机会上看 800V，且功率逐年增加，因此电动车的普及会是带动 SiC 器件的主要动力之一。许多车厂计划推出内含 SiC MOS 的车载充电器 (on-board charger)，预计到 2022 年会有明显的需求。
此外，SiC MOS 牵引逆变器 (traction inverter) 预估 2025 会有比较明显的成果。唐仲亨坦言，2019 年的市况受到中美贸易摩擦影响而低迷，2020 年又遭逢肺炎疫情搅局，虽然 ROHM 的 SiC 产品在空调、服务器／PC 电源等部分应用仍有成长，但整体而言由于比例较高的车载需求降低，整体成长仍有放缓。与此同时，中国从 2019 年开始调整电动车 (EV) 相关补贴制度，加上疫情使当地电动车的市场成长曲线发生变化，后续亦有待观察。凡此种种，市场现况恐将较 2018 年初预测出现两年的成长延迟。
不过唐仲亨预期，若放大时间轴至 2024、2025 年来看，假设疫情已得到控制、且电动车相关市场需求预测仍未延迟，车用逆变器等需求仍见强劲。他特别提到，ROHM 在开发 SiC 器件之外也开发适用的栅极驱动器 (gate driver)，以便为用户提供从驱动到 SiC 器件的整体建议。ROHM 的 SiC MOS 目前量产的第三代产品为沟槽式 (trench)，也是率先量产此类结构的 SiC MOS 供货商；唐仲亨并预告，2021 年他们将接力推出同结构的第四代 SiC MOS，除了优化切换特性，其单位面积的导通阻抗可再降低 40%，性能及成本皆更具竞争力。
图：罗姆第四代 SiC MOS 优化切换特性且更具竞争力
资料来源：ROHM 提供
