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Vishay推出采用改良设计的INT-A-PAK封装IGBT功率模块，降低导通和开关损耗

本文作者：Vishay 点击： 2024-02-29 11:18

前言：

半桥器件采用Trench IGBT技术，可选低VCE(ON)或低Eoff，适用于大电流逆变级

2024年2月29日--日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出五款采用改良设计的INT-A-PAK封装新型半桥IGBT功率模块---VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S、VS-GT200TS065S、VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N。这些新型器件采用Vishay的Trench IGBT技术制造，为设计人员提供两种业内先进的技术选件—低VCE(ON) 或低Eoff —降低运输、能源及工业应用大电流逆变级导通或开关损耗。

日前发布的半桥器件使用节能效果优于市场上其他器件的Trench IGBT，与具有超软反向恢复特性的第四代FRED Pt®反并联二极管封装在一起。模块小型INT-A-PAK封装采用新型栅极引脚布局，与34 mm工业标准封装100%兼容，可采用机械插接方式更换。

这款工业级器件可用于各种应用的电源逆变器，包括铁路设备；发电、配电和储电系统；焊接设备；电机驱动器和机器人。为降低TIG焊机输出级导通损耗，VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S和VS-GT200TS065S在+125 C，额定电流下，集电极至发射极电压仅为 ≤ 1.07 V，达到业内先进水平。VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N适用于高频电源应用，开关损耗极低，+125 C，额定电流下，Eoff仅为1.0 mJ。

模块符合RoHS标准，集电极至发射极电压为650 V，集电极连续电流为100 A至200 A，结到外壳的热阻极低。器件通过UL E78996认证，可直接安装散热片，EMI小，减少了对吸收电路的要求。

器件规格表：

产品编号	V_CES	I_C	V_CE(ON)	E_off	速度	封装
产品编号	V_CES	I_C	@ IC和 +125 °C		速度	封装
VS-GT100TS065S	650 V	100 A	1.02 V	6.5 mJ	DC~1 kHz	INT-A-PAK
VS-GT150TS065S	650 V	150 A	1.05 V	10.3 mJ	DC~1 kHz	INT-A-PAK
VS-GT200TS065S	650 V	200 A	1.07 V	13.7 mJ	DC~1 kHz	INT-A-PAK
VS-GT100TS065N	650 V	100 A	2.12 V	1.0 mJ	8 kHz~30 kHz	INT-A-PAK
VS-GT200TS065N	650 V	200 A	2.13 V	3.86 mJ	8 kHz~30 kHz	INT-A-PAK

新型IGBT功率模块现可提供样品并已实现量产，供货周期为15周。

VISHAY简介

Vishay 是全球最大的分立半导体和无源电子元件系列产品制造商之一，这些产品对于汽车、工业、计算、消费、通信、国防、航空航天和医疗市场的创新设计至关重要。服务于全球客户，Vishay承载着科技基因——The DNA of tech.®。Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市（VSH）的“财富1,000 强企业”。有关Vishay的详细信息，敬请浏览网站 www.vishay.com。

The DNA of tech® 是Vishay Intertechnology的注册商标。FRED Pt 是Vishay Intertechnology的注册商标。

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