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三星启动其首批第九代V-NAND闪存量产
前言：
比三星上一代产品提高约50%的位密度(bit density)
通过先进的通道孔蚀刻技术（channel hole etching）提高生产效率
2024年4月23日--近日，三星宣布其第九代V-NAND 1Tb TLC产品开始量产，这将有助于巩固其在NAND闪存市场的卓越地位。
"我们很高兴能推出三星首款第九代V-NAND，这将有机会推动未来应用的飞跃发展。"三星电子闪存产品与技术主管SungHoi Hur表示。"为了满足不断发展的NAND闪存解决方案需求，三星在这款产品的单元架构和运行方案上不断突破极限。通过我们最新的V-NAND，三星将在高性能、高密度SSD市场中持续创新，满足未来人工智能时代的需求。"
凭借当前三星最小的单元尺寸和最薄的叠层厚度，三星第九代V-NAND的位密度比第八代V-NAND提高了约50%。单元干扰避免和单元寿命延长等新技术特性的应用提高了产品的质量和可靠性，而消除虚通道孔则显著减少了存储单元的平面面积。
此外，三星先进的"通道孔蚀刻"技术展示了其在制程方面的卓越能力。该技术通过堆叠模具层来创建电子通路，可在双层结构中同时钻孔，达到三星最高的单元层数，从而最大限度地提高了制造生产率。随着单元层数的增加，穿透更多单元的能力变得至关重要，这就对更复杂的蚀刻技术提出了要求。
第九代V-NAND配备了下一代NAND闪存接口"Toggle 5.1"，可将数据输入/输出速度提高33%，最高可达每秒3.2千兆位（Gbps）。除了这个新接口，三星还计划通过扩大对PCIe 5.0的支持来巩固其在高性能固态硬盘市场的地位。
与上一代产品相比，基于三星在低功耗设计方面取得的进步，第九代V-NAND的功耗也降低了10%。随着降低能耗和碳排放成为客户的重要需求，三星的第九代V-NAND预计将成为未来应用的理想解决方案。
三星已于本月开始量产第九代V-NAND 1Tb TLC产品，并将于今年下半年开始量产四层单元（QLC）第九代V-NAND。
*本文中的产品图片以及型号、数据、功能、性能、规格参数等仅供参考，三星电子有可能对上述内容进行改进，具体信息请参照产品实物、产品说明书或三星半导体官网 （https://semiconductor.samsung.com/cn/）。除非经特殊说明，本网站中所涉及的数据均为三星内部测试结果，涉及的对比均为与三星产品相比较。
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