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力旺电子与西门子连手推出突破性的 SRAM 修复工具集: 整合NeoFuse OTP的Tessent MemoryBIST

本文作者:力旺电子       点击: 2024-10-15 13:33
前言:
整合NeoFuse OTP的Tessent MemoryBIST
2024年10月15日--力旺电子今宣布与西门子连手推出突破性的 SRAM 修复工具。该解决方案将西门子的Tessent™ MemoryBIST软件与 eMemory的NeoFuse OTP整合,主要应对具高密度SRAM之先进AI SoC的需求。

 
当今的AI芯片对于配备AI语言模型、数据处理器(DPU)和静态随机存取内存内运算(SRAM-based CIM) 架构的需求日趋增加,然而,工艺微缩及密度急剧增加对SRAM的制造、良率和可靠度带来可观的挑战。随着SRAM密度增加,故障位发生机率也更高,因此,芯片内建的自动修复 (built-in self-repair; BISR) 技术和一次性可编程内存 (OTP) 在提升良率上就扮演着更重要的角色。

作为业界领先的内存测试解决方案,西门子Tessent MemoryBIST实现了片上内存全面自动化的全速测试、诊断、修复、调试和特性鉴定。 其中,力旺OTP在存储故障位方面发挥着重要作用。此整合解决方案标榜优化的OTP编程效率,并适用于各式 SoC 总线协议设计。与 eFuse 的区别在于,NeoFuse 内建自我检测机制,在不需增加多余电路下, 于部署后可持续进行自动检测和修复。这项优势对于车载应用等高阶芯片至关重要。

「力旺的OTP通过了台积电N5、N5A和N4P的严格认证,具有近乎完美的良率、可靠度、面积和成本效益。西门子Tessent MemoryBIST与eMemory NeoFuse OTP的全面整合,以最大效率支持客户实现可靠的AI芯片设计。」力旺电子资深业务开发副总卢俊宏先生表示。

「在全球 IC 市场向人工智能技术的典范转移过程中,需要创新的解决方案。」西门子数字设计创作平台Tessent资深副总裁暨总经理Ankur Gupta表示。「Tessent MemoryBIST与eMemory OTP的预整合方案有助于先进AI芯片开发商以低成本实现快速上市、高良率和出色的可靠度。同时,此解决方案亦能帮助客户优化其整体设计的功耗、性能和面积。」

注:相关西门子商标列表可在此处找到
 
关于力旺电子
力旺电子(3529)成立于 2000 年,是全球知名的半导体硅智财供货商,在全球嵌入式非挥发性内存市场(embedded Non-volatile Memory)位居领导地位。在2019年更跨足芯片安全领域,导入其出色的反熔丝可一次编写内存(anti-fuse OTP)与物理不可复制功能(PUF)技术,开发芯片安全解决方案。
 
继可一次编写内存(NeoBit/NeoFuse)取得突破性成功后,力旺电子持续扩展其IP 产品线,包括可多次编写内存(NeoMTP/NeoEE)、闪存(NeoFlash/RRAM/MRAM)和PUF技术(NeoPUF)。 此外,通过子公司熵码科技,以创新的PUF和安全OTP为核心提供安全子系统和各式解决方案,包括信任根模块PUFrt和加密协处理器PUFcc。
 
作为世界领先的 IP 供货商,eMemory 已为全球 2,600 多家晶圆厂、整合组件厂和IC设计公司提供一流的硅智财解决方案,并致力于与我们的客户及合作伙伴一起推动先进应用的技术发展。
 
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