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2025年6月26日--力旺电子今日宣布，其一次性可编程内存（One-Time Programmable, OTP）NeoFuse已于台积电N3P制程完成可靠度验证。N3P制程为台积电3奈米技术平台中，针对功耗、效能与密度进行优化的先进制程，适用于高效能运算（HPC）、人工智能（AI）、行动装置及数据中心等关键领域。NeoFuse OTP作为力旺首个在N3P制程完成验证的OTP，再次彰显力旺在先进制程内存解决方案的领先地位，为先进AI与HPC芯片提供安全内存支持。
本次于台积电N3P先进制程完成可靠度验证的NeoFuse OTP 解决方案展现卓越效能，提供高达4K40的OTP密度，以及0.55V至0.96V的宽广操作电压范围，这不仅支持高容量数据储存，也提供充足空间来实现可靠性机制。这对于需要高密度SRAM的AI SoC、HPC或汽车应用至关重要，亦能灵活适应多元应用场景。
在此基础上，力旺亦提供整合NeoPUF技术的NeoFuse OTP安全强化版本，不仅显著提升产品的安全性与应用弹性，同时协助客户节省开发资源、快速导入量产。此版本以一站式系统级设计为核心，具备高度整合性，可无缝对接经过设计验证的全功能控制器，支持错误校正码（ECC）与投票机制（Voting Mechanism）的双重可靠性设计，有效增强内存系统可靠性与数据完整性。搭配通过验证的系统级接口整合模块（Wrapper），并结合标准 APB 接口与 SRAM 修复专用的 MBIST 工具接口等相关 API，此版本不仅可进一步实现真随机数产生器（TRNG）的生成，提供硬件级的安全防护，更能强化系统整合、内存自我测试与快速修复数据能力，对应安全启动、硬件信任根、装置认证与密钥管理等关键功能，大幅提升芯片抗攻击能力、提高良率并加速产品上市。
无论是NeoFuse OTP，或具备进阶安全功能的强化版本，均符合TSMC9000的质量标准，并凭借高度整合与可扩展架构，广泛应用于微控制器（MCU）、网络通讯芯片、现场可编程门阵列（FPGA）、固态硬盘控制器（SSD）、AI及HPC等各类装置，涵盖从终端应用到高阶运算平台。目前，力旺NeoFuse OTP已获多家客户采用，并完成在N3P制程的设计导入，预计于近期进入芯片试产阶段。
「NeoFuse OTP 于台积电 N3P 制程顺利完成可靠度验证，不仅展现其成熟稳定的制程兼容性，也体现力旺与台积携手支持共同客户的成果，进一步反映双方对高效能与高安全性应用市场的长期投入与承诺。」力旺电子执行副总经理暨营运长卢俊宏表示。「我们将持续深化与台积电的合作关系，推动先进制程内存技术的持续创新。」
「面对 AI 与高效能运算（HPC）等市场的快速发展，我们与力旺电子等台积电开放创新平台（OIP）伙伴的合作，充分展现了台积公司赋能客户的坚定承诺。」台积公司北美生态系暨联盟管理处资深处长Lluis Paris表示。「透过结合我们业界领先的技术以及来自 OIP 伙伴经过验证的设计解决方案，我们协助客户克服日益复杂的设计挑战，并共同推动这些关键领域的下一波创新。」
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