2018年10月22日--碳化硅（SiC）功率半导体制造商UnitedSiC宣布推出第3代1200V和650V碳化硅JFET，扩展了现有的独特常开启型SiC JFET产品组合。
这些器件处于通常开启状态，采用零电压栅极驱动，因而特别适用于快速动作、固态断路器和电路保护等应用，这些应用中，通常在没有栅极电源的情况下需要默认为导通状态。这些器件还可与Si-MOSFET串联使用，形成强大的“超级共源共栅”，具有宽带隙技术的所有优势，能提供极高的工作电压，并易于栅极驱动。新器件还可用于电子负载、无线充电同步整流和低功率反激式转换器中的电源开关，其中采用共源共栅配置的JFET可确保易于启动。新器件所面向的市场包括铁路、电动飞行器和电动牵引中的电路保护，以及高压开关电源转换等等。
SiC JFET器件能提供极佳的RDSA品质因数（基于晶片面积归一化的导通电阻），在电路保护应用中具有低插入损耗。由于RDSON的正温度系数和较为平坦的栅极阈值电压对温度曲线，这些部件可以很容易并联使用。在以“线性”模式工作时，SiC JFET表现出宽的安全工作区（SOA），而没有其他技术容易受到的电流拥挤效应和潺流效应(current filament)等影响，使得它们特别适用于电子负载和电流限制器。SiC JFET中不存在栅极氧化物，因而也增强了抗辐射能力和总体的牢固性等附加优势。
这些器件的制造采用了UnitedSiC专有的6英寸晶圆工艺，其中包括先进的晶圆减薄（wafer-thinning）和晶片粘接（die-attach）技术，具有出色的结至外壳热阻。
新发布的第三代器件编号为UJ3N120070K3S（1200V/70mΩ）、UJ3N120035K3S（1200V/35mΩ）、UJ3N0650080K3S（650V/80mΩ）和UJ3N065025K3S（650V/25mΩ）。所有这些可选器件均采用方便的TO-247-3L封装。
UnitedSiC工程副总裁Anup Bhalla表示：“当您需要常通、超级牢固的器件时，UnitedSiC的SiC JFET可提供无与伦比的系统价值。随着电力电子技术的不断发展，对电路保护的需求也在不断增长。动作非常快速的断路器可以简化轨道牵引、船舶和越来越多的电动飞行器等电源电路设计，而且在这些类型应用中，SiC JFET也是最简单、最高效的限流方案。”
价格和供货信息
UnitedSiC的第三代SiC JFET器件以批量1000件计，起价为每片5.00美元，可在贸泽电子和其他当地分销商处购买。
关于UnitedSiC
UnitedSiC开发创新的碳化硅场效应晶体管（FET）和二极管等功率半导体器件，为电动汽车充电系统、DC-DC转换器和牵引驱动，以及电信/服务器电源、可变速马达驱动器和太阳能光伏逆变器等应用提供业界最佳的碳化硅效率和性能。
