2018年11月05日--碳化硅（SiC）功率半导体制造商UnitedSiC宣布推出采用标准TO-247-3L封装的UF3C FAST系列650V和120 V高性能碳化硅FET。与现有的UJC3系列相比，FAST系列具有更快的开关速度和更高的效率水平。
基于UnitedSiC专有的共源共栅配置技术，新发布的系列产品在具备更高开关速度的同时，也能够为大多数TO-247-3L IGBT、Si-MOSFET和SiC-MOSFET器件提供“直接”替代解决方案。这意味着系统可以轻松升级到更高的性能和效率，而无需更改现有的栅极驱动电路。由于Qrr可以减小50％，因而能够降低导通损耗。对于高电流使用，仅需一个小型、低成本的RC缓冲器，这也简化了系统的抗电磁干扰设计。
UF3C FAST系列适合于应用各种硬开关电路，如有源整流器和图腾柱PFC级，通常可用于电动汽车（EV）充电、电信整流器和服务器电源等。
UF3C FAST系列基于UnitedSiC的第三代 SiC晶体管技术，将更快的SiC JFET和定制设计的Si-MOSFET集成在一起，能够实现通常处于关闭的高性能体二极管和MOSFET简易栅极驱动的理想组合。与其他宽带隙技术相比，SiC共源共栅器件支持标准的12V栅极驱动，并能够确保雪崩额定值（100％经过生产测试）。
UnitedSiC工程副总裁Anup Bhalla表示：“UnitedSiC的新型FAST SiC FET系列可以很轻松地使用，并具有极高性价比。该产品系列在高功率设计应用中使设计工程师有机会实现更高的效率。”
新发布的产品系列包括以下部件：UF3C120040K3S（1200V/35mΩ）、UF3C065030K3S（650V/30mΩ）和UF3C065040K3S（650V/42mΩ）。
价格和供货
按1000片批量计算，该产品系列的价格范围从UF3C065040K3S的14.50美元到UF3C120040K3S的24.50美元不等。贸泽电子和其他当地分销商可提供产品库存。
关于UnitedSiC
UnitedSiC开发创新的碳化硅场效应晶体管（FET）和二极管等功率半导体器件，为电动汽车充电系统、DC-DC转换器和牵引驱动，以及电信/服务器电源、可变速马达驱动器和太阳能光伏逆变器等应用提供业界最佳的碳化硅效率和性能。
