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安谱隆半导体将在IMS会议上展示LDMOS和GaN射频功放产品组合及大功率射频解决方案

本文作者:安谱隆半导体       点击: 2017-05-16 12:55
前言:
14号展台 – 夏威夷州夏威夷会展中心
2017年5月16日--安谱隆半导体(Ampleon)今天宣布参加即将举行的国际微波研讨会(IMS)。
 
Ampleon将在914号展台展示其适用于移动宽带、广播、工业、雷达和航空电子以及射频能量应用的最新射频功率器件和模块。
移动宽带的产品演示包括多款采用Ampleon最新32V和50V LDMOS和GaN工艺的、面向基站、小基站和大规模MIMO应用的功率放大器,以及一款同时覆盖2.3至2.7GHz(频带40和41)的、采用基于赛灵思公司(Xilinx)16nm Zynq® UltraScale+™ MPSoC器件的Xilinx DPD解决方案进行线性化的多频段功率放大器。
 
其他应用包括一个400W S波段pallet、一个900W UHF广播设计和一个2,000W 127MHz ISM频段放大器。此外,一款集成了射频能量应用用传感功能的433MHz、200W的pallet也将进行展示。
 
Ampleon的LDMOS产品组合包括宽带器件、Doherty放大器用晶体管、专为工业、科学和医疗(ISM)应用设计的、非常坚固耐用的大功率器件,以及民用雷达用晶体管等。SiC基GaN产品阵容包括大功率宽带器件和驱动器等。
 
除了其最新产品和解决方案的广泛阵容外,Ampleon公司的工作人员也积极参与了会议计划。
 
Sergio Pires将于6月4日(星期日)在6号会议上(分配位置将在现场提供)出席题为“5G系统功率放大器创新(Power Amplifier Innovations for 5G systems)”的研讨会。
 
Xavier Moronval作为IMS行业论文大赛决赛入围者之一,将会在6月6日(星期二)上午10:10至11:50在316A室发表他的论文(编号:TU2G-2)“一种基于新型3Wa 1:2:1 Doherty结构的、为小基站提供最佳效率的紧凑型60W MMIC放大器(A Compact 60 W MMIC Amplifier Based on a Novel 3-Wa 1:2:1 Doherty Architecture with Best-in-Class Efficiency for Small Cells)”。
 
Andre Prata将于6月6日(星期二)下午15:40至17:10在夏威夷会展中心(Hawai’i Convention Center)的俯瞰大厅(overlook concourse)发表他的论文(编号:TUIF3-17)“迈向面向5G的无环形器多天线发射器(Towards Circulator-Free Multi-Antenna transmitter for 5G)”。
 
Raheem Qureshi将于6月8日(星期四)下午13:30至15:00在夏威夷会展中心的俯瞰大厅发表他的论文(编号:THIF2-10)“具有对封装集成式负载不敏感的E类器件的高效率射频功率放大器(High efficiency RF Power Amplifiers featuring package integrated load insensitive Class-E devices)”。
 
关于安谱隆半导体(Ampleon):
创立于2015年,安谱隆半导体(Ampleon)由50年的射频功率领导地位所塑造,旨在充分利用射频中的数据和能量传输的全部潜力。Ampleon在全球拥有超过1,250名员工,致力于为客户创造最佳价值。其创新而又一致的产品组合,为诸如蜂窝基站、无线电/电视/广播、雷达、空中交通管制、烹饪、照明、工业激光和医疗等广泛应用提供产品和解决方案。欲知有关射频功率领域领先全球合作伙伴的详细信息,请访问www.ampleon.com