2018年6月25日--英飞凌科技（中国）有限公司（以下简称英飞凌）将于6月26 - 28日参加在上海世博展览馆举办的 PCIM Asia上海国际电力元件、可再生能源管理展览会。英飞凌将在2号馆的F 01展台，展示涵盖整个电能供应链的领先产品和全套系统及应用解决方案。此外，英飞凌的技术专家还将就产品和应用发表多篇论文，并在同期的国际研讨会上进行交流。
从前沿的硅基 MOSFET 和 IGBT 到数字化功率创新，以及最新的碳化硅和氮化镓技术，英飞凌芯片对于提高发电、输电和用电效率起着至关重要的作用。此次，英飞凌将围绕“赋能世界，无尽能源”（Empowering A World Of Unlimited Energy）为主题，重点展示以下产品：
• 1200V TRENCHSTOP™ IGBT7
1200V TRENCHSTOP™ IGBT7基于最新微沟槽技术，可大幅降低损耗，并提供高度可控性。该芯片专门针对工业驱动器应用进行优化，可大幅降低静态损耗，提高功率密度，与EmCon7 1200V 二极管技术构成IGBT开关，开关更为柔和。另外，通过将功率模块中允许过载的最高工作温度提高至 175℃，可显著提高功率密度。
1200V TRENCHSTOP™ IGBT7基于最新微沟槽技术，可大幅降低损耗，并提供高度可控性。该芯片专门针对工业驱动器应用进行优化，可大幅降低静态损耗，提高功率密度，与EmCon7 1200V 二极管技术构成IGBT开关，开关更为柔和。另外，通过将功率模块中允许过载的最高工作温度提高至 175℃，可显著提高功率密度。
• CoolSiC™ MOSFET —— 一场值得信赖的技术革命
CoolSiC™ MOSFET 1200V 是将系统设计带到全新效率和功率密度水平的前沿解决方案。采用沟槽栅技术的碳化硅MOSFET技术，英飞凌分别在 62mm 和EASY2B封装中实现了 3 毫欧姆和6毫欧姆的半桥模块，代表业内的领先水平。通过结合最佳可靠性、安全性和易用性，CoolSiC™ MOSFET 是光伏逆变器、UPS 、电动汽车充电和工业驱动应用的最佳解决方案。
CoolSiC™ MOSFET 1200V 是将系统设计带到全新效率和功率密度水平的前沿解决方案。采用沟槽栅技术的碳化硅MOSFET技术，英飞凌分别在 62mm 和EASY2B封装中实现了 3 毫欧姆和6毫欧姆的半桥模块，代表业内的领先水平。通过结合最佳可靠性、安全性和易用性，CoolSiC™ MOSFET 是光伏逆变器、UPS 、电动汽车充电和工业驱动应用的最佳解决方案。
面向中国的光伏客户和应用，英飞凌开发了定制化产品，如三电平模块提高了组串型逆变器的单机的功率极限，碳化硅 MOSFET 在模块中的应用，大大提高了效率和功率密度。
• MIPAQ™ -Pro —— 一个真正意义上的智能IGBT模块
MIPAQ™ Pro 是一款集成 IGBT、驱动、散热器、传感器、数字控制以及通讯总线的大功率智能功率模块（IPM）。通过对诸如芯片工作结温、输出电流、直流电压等关键参数的实时监控，进行故障预警和保护，从而实现了强大的智能保护功能。在减少设计冗余，实现功率输出最大化的同时，确保 IPM 可以在设定的极限范围内安全稳定工作，在设备出现故障隐患时，及时发现并有效预防，大大提高了设备的现场有效运行时间。
MIPAQ™ Pro 是一款集成 IGBT、驱动、散热器、传感器、数字控制以及通讯总线的大功率智能功率模块（IPM）。通过对诸如芯片工作结温、输出电流、直流电压等关键参数的实时监控，进行故障预警和保护，从而实现了强大的智能保护功能。在减少设计冗余，实现功率输出最大化的同时，确保 IPM 可以在设定的极限范围内安全稳定工作，在设备出现故障隐患时，及时发现并有效预防，大大提高了设备的现场有效运行时间。
• TRENCHSTOP™ Feature IGBT —— 带多重保护和集成多种应用电路功能的IGBT
为了提高 IGBT 使用的可靠性，越来越来的用户更倾向于 IGBT 本身自带多重保护或者集成多种应用电路功能，如过压保护、过流保护、过温保护、有源钳位、故障报警等。因此，英飞凌即将推出全新的多功能 IGBT——TRENCHSTOP™ Feature IGBT。该系列 IGBT 包含多种组合，即根据不同应用的设计需求，集成不同保护或者其它功能，为用户提供一种设计简单但安全可靠的方案。
为了提高 IGBT 使用的可靠性，越来越来的用户更倾向于 IGBT 本身自带多重保护或者集成多种应用电路功能，如过压保护、过流保护、过温保护、有源钳位、故障报警等。因此，英飞凌即将推出全新的多功能 IGBT——TRENCHSTOP™ Feature IGBT。该系列 IGBT 包含多种组合，即根据不同应用的设计需求，集成不同保护或者其它功能，为用户提供一种设计简单但安全可靠的方案。
• Infineon® Eco Block压接式模块
英飞凌在2017年完善了全系列高性价比焊接式20mm、34mm和50mm双极器件模块后，2018年即将推出高性价比压接式Eco Block系列，用于扩展现有的经典PowerBLOCK压接技术产品线。该模块的典型应用包括不间断电源和变频器市场，包括60mm晶闸管/晶闸管TT、晶闸管/二极管TD和 二极管/二极管DD模块，以及70mm晶闸管模块。其阻断电压为1600/2200V，电流范围是420A到 1200A。新系列产品保留了PowerBLOCK模块的重要特性功能，拥有压接技术特有的短路导通特性、并同时拥有高性价比。系出名门，秉承了英飞凌一贯的“可持续、环境友好”设计。
• IGBT 系统解决方案和应用解决方案
IGBT 应用解决方案包括 IGBT 和碳化硅器件驱动方案和各种设计评估板。IGBT 系统解决方案包括逆变焊机、电动汽车充电、兆瓦级 1500V 光伏逆变器和主要应用于电力机车和高速列车的牵引和辅助变流器，柔性高压直流输电等XHP™3 并联方案。
IGBT 应用解决方案包括 IGBT 和碳化硅器件驱动方案和各种设计评估板。IGBT 系统解决方案包括逆变焊机、电动汽车充电、兆瓦级 1500V 光伏逆变器和主要应用于电力机车和高速列车的牵引和辅助变流器，柔性高压直流输电等XHP™3 并联方案。
• 最新一代1200V IGBT6 单管IGBT
1200V IGBT6单管比上一代1200V单管IGBT，进一步降低了导通压降和开关损耗，首批推出5个型号有两种芯片技术 S6和H6，两种封装形式，TO247_Plus和TO247_Plus 4Pin。可以说这一代IGBT6的推出，不仅是在上一代1200V单管IGBT的基础上芯片技术的升级，还扩展了电流输出能力，对于系统设计，可以减少并联个数，大大提升系统可靠性。可以广泛应用于光伏，UPS，焊机，变频器等领域。
1200V IGBT6单管比上一代1200V单管IGBT，进一步降低了导通压降和开关损耗，首批推出5个型号有两种芯片技术 S6和H6，两种封装形式，TO247_Plus和TO247_Plus 4Pin。可以说这一代IGBT6的推出，不仅是在上一代1200V单管IGBT的基础上芯片技术的升级，还扩展了电流输出能力，对于系统设计，可以减少并联个数，大大提升系统可靠性。可以广泛应用于光伏，UPS，焊机，变频器等领域。
• TRENCHSTOPTM5芯片在D2PAK封装中的产品
TRENCHSTOPTM5是英飞凌最新一代650V IGBT芯片系列，在市场上广受欢迎，以前单管只有TO-247封装，英飞凌于近日推出了TRENCHSTOP5芯片封装在D2PAK的贴片型封装中的系列产品。相比于TO-247封装，D2PAK封装由于管脚短，杂散电感小了很多，可以以更低开关损耗工作于更高的开关频率。同时，D2PAK封装的结对壳的热阻并没有升高，又可以直接在IMS上进行贴片焊接，整个散热效果要比传统的TO-247封装散热效果要更好。这样一来同样大小的芯片，D2PAK封装能比TO-247封装输出更大的电流，对提升系统效率和功率密度，有很大的帮助。
TRENCHSTOPTM5是英飞凌最新一代650V IGBT芯片系列，在市场上广受欢迎，以前单管只有TO-247封装，英飞凌于近日推出了TRENCHSTOP5芯片封装在D2PAK的贴片型封装中的系列产品。相比于TO-247封装，D2PAK封装由于管脚短，杂散电感小了很多，可以以更低开关损耗工作于更高的开关频率。同时，D2PAK封装的结对壳的热阻并没有升高，又可以直接在IMS上进行贴片焊接，整个散热效果要比传统的TO-247封装散热效果要更好。这样一来同样大小的芯片，D2PAK封装能比TO-247封装输出更大的电流，对提升系统效率和功率密度，有很大的帮助。
• DDPAK，创新正面散热SMD封装满足大功率SMPS市场需求
得益于集成式4引脚开尔文源配置，可降低寄生源电感，减轻振荡倾向。采用正面散热SMD封装的CoolMOS™和CoolSiC™可在电路板与MOSFET之间实现更大温差及延长系统使用寿命。
得益于集成式4引脚开尔文源配置，可降低寄生源电感，减轻振荡倾向。采用正面散热SMD封装的CoolMOS™和CoolSiC™可在电路板与MOSFET之间实现更大温差及延长系统使用寿命。
PCIM Asia 是 PCIM Europe 在亚洲地区的姐妹展，迄今已成功举办过 16 届，专注于电力电子技术，以及该领域技术在国家电网、工业、轨道交通、智能运动及电动车等方面的应用。
关于英飞凌
英飞凌科技股份公司是全球领先的半导体科技公司，我们让人们的生活更加便利、安全和环保。英飞凌的微电子产品和解决方案将带您通往美好的未来。2017财年（截止9月30日），公司的销售额达71亿欧元，在全球范围内拥有约37,500名员工。英飞凌在法兰克福证券交易所（股票代码：IFX）和美国柜台交易市场 OTCQX International Premier（股票代码：IFNNY）挂牌上市。
英飞凌科技股份公司是全球领先的半导体科技公司，我们让人们的生活更加便利、安全和环保。英飞凌的微电子产品和解决方案将带您通往美好的未来。2017财年（截止9月30日），公司的销售额达71亿欧元，在全球范围内拥有约37,500名员工。英飞凌在法兰克福证券交易所（股票代码：IFX）和美国柜台交易市场 OTCQX International Premier（股票代码：IFNNY）挂牌上市。
英飞凌中国
英飞凌科技股份公司于1995年正式进入中国市场。自1995年10月在无锡建立第一家企业以来，英飞凌的业务取得非常迅速的增长，在中国拥有约2000名员工，已经成为英飞凌亚太乃至全球业务发展的重要推动力。英飞凌在中国建立了涵盖研发、生产、销售、市场、技术支持等在内的完整的产业链，并在销售、技术研发、人才培养等方面与国内领先的企业、高等院校开展了深入的合作。
英飞凌科技股份公司于1995年正式进入中国市场。自1995年10月在无锡建立第一家企业以来，英飞凌的业务取得非常迅速的增长，在中国拥有约2000名员工，已经成为英飞凌亚太乃至全球业务发展的重要推动力。英飞凌在中国建立了涵盖研发、生产、销售、市场、技术支持等在内的完整的产业链，并在销售、技术研发、人才培养等方面与国内领先的企业、高等院校开展了深入的合作。
