2019年3月19日--碳化硅（SiC）功率半导体制造商UnitedSiC宣布已经推出一系列适用于与具备内置低压MOSFET的控制器IC共同封装的SiC JFET晶片，由此可制造出速度极快，基于共源共栅的20～100W反激式产品。这些常导通型SiC JFET的工作电压范围为650～1700V，可帮助实现简化的启动方案，具有零待机功耗，是大型反激式AC-DC应用市场的理想选择，其中包括消费类电子适配器和辅助电源等应用。
控制器IC制造商可受益于较小的晶片尺寸，并具有极低RDS（ON）和电容。常导通型JFET在与控制器IC中集成的低Qg低压MOSFET配合使用时，有助于满足轻载和空载下功率消耗的相关法规。
SiC JFET在应对重复的雪崩和短路时具有非常强大的能力，使SiC共源共栅在实用中非常稳健。SiC JFET与控制IC中的LV MOSFET串联连接，常导通型JFET的源极电压在JFET关断之前升至12V，IC开始切换。经过JFET的电流路径可以用作控制器IC的启动电源。在转换器开始工作后，来自转换器变压器的辅助电源被门控（gated-in），没有进一步的功率损耗。
典型的低功率反激式应用包括笔记本电脑和移动设备充电器（20～65 W）等消费类电子辅助设备，其他应用还包括工业应用（如电机驱动）的宽输入（高达1400V）反激辅助电源，以及长LED串等高功率照明应用。
UnitedSiC首席执行官Chris Dries表示：“随着这些新型SiC JFET的推出，UnitedSiC现在已经位居业内拥有最广泛SiC功率产品组合厂商之列，我们能够通过晶片和分立封装形式来提供高性能JFET功能。”
供货信息
目前仅有UnitedSiC能够提供七种晶片可供选择，电压额定值为从650～1700V，RDS（ON）值低至140mΩ，晶片具备三种尺寸，可小至0.8 mm x 0.8mm，以便于实现共同封装。
目前仅有UnitedSiC能够提供七种晶片可供选择，电压额定值为从650～1700V，RDS（ON）值低至140mΩ，晶片具备三种尺寸，可小至0.8 mm x 0.8mm，以便于实现共同封装。
关于 UnitedSiC
UnitedSiC致力开发创新的碳化硅场效应晶体管（FET）和二极管等功率半导体器件，为电动汽车充电系统、DC-DC转换器和牵引驱动，以及电信/服务器电源、可变速马达驱动器和太阳能光伏逆变器等应用提供业界最佳的碳化硅效率和性能。
