IR HEXFET® MOSFET芯片组将两相DC-DC降压转换器效率提升2%

世界功率管理技术领袖国际整流器公司（International Rectifier，简称IR）近日推出两款新型30V HEXFET®功率 MOSFET，可将30V/45A两相同步降压转换器MOSFET解决方案的轻负载效率提升2%，用来驱动笔记本电脑及其他高性能计算应用中的Intel和AMD最新型处理器。

这两款新型无铅器件分别是IRF7823PbF和IRF7832ZPbF，通过优化传导、开关和体二极管损耗，可实现最佳的效率和功率密度。两款器件可用作每相需要一个控制和2个同步MOSFET的两相同步降压转换器电路芯片组。这组新型SO-8 MOSFET 还适用于其他采用PWM控制的DC-DC降压转换器应用。

IR中国及香港销售总监严国富表示：“中低功率水平下，高效率对笔记本电脑非常重要，因为它们是最主流的电池驱动产品。我们的全新芯片组可以针对这方面的需要，在5－15A的范围内将效率提升2%。新器件还可以降低功率损耗，从而降低系统的工作温度，这一点对便携式计算也相当重要。”

新的芯片组包含一个控制MOSFET和一个同步MOSFET，每个器件都经过专门设计，以发挥其最大效能。控制MOSFET具有更低的开关损耗（栅电荷），同步MOSFET则具有低传导损耗（低导通电阻）及低逆向恢复电荷。

IRF7823PbF是一款经过优化的控制场效应管（FET），栅电荷（Qg）和栅-漏极电荷（Qgd）都非常低，分别只有9.1nC和3.2nC。

 

IRF7832ZPbF对同步FET功能进行了优化，4.5V下的典型导通电阻极低，只有3.7mΩ，适用于高达12A的应用环境。IRF7823PbF和IRF7832ZPbF现在均已供货。以1万片订货量计算，IRF7823PbF每片0.5美元，IRF7832ZPbF为0.88美元，价格会有所变动。两种器件均为无铅产品，符合有害物质管理规定（RoHS）。基本规格如下：

器件编号 BVDSS
(V) VGS
(V) 典型RDS(on)
最大
VGS=4.5V
(Ω) 典型RDS(on)
最大
VGS=10V
(Ω) Vth
(V) QG VGS=5V
(nC) QGS1
(nC) QGD Vds=16V
(nC) QGS2
(nC)
IRF7823PbF
30 ±20 9.3/ 11.9 6.9/ 8.7 1.9 9.1 2.7 3.2 0.8
IRF7832ZPbF
30 ±20 3.7/ 4.5 3.1/ 3.8 1.3 -2.3 30 7.9 11 2.6