意法半導體推出新技術的功率MOSFET系列產品讓DC-DC電源供應器擁有更高的頻率和更少的損耗

意法半导体（纽约证券交易所代码︰STM) 宣布推出两款新的功率MOSFET产品，适用于DC-DC转换器。 新产品采用最新的ST独有的STripFETTM技术，拥有极低的导电和转换损耗，在一个典型的稳压模块内，最大功耗小于3W。 在同类型的竞争产品中，拥有最低的参数指数 (Figure of merit - FOM = Rds(on) x闸极电荷( Gate Charge) (Qg)。 

除高效能外，新推出的MOSFET让实际电路可在高于平常转换频率下工作，减少电路的被动组件的尺寸。 例如，将转换频率提升10%，输出滤波器所需的被动组件的尺寸就可以缩小10%。

STD60N3LH5和STD85N3LH5是ST新的STripFET V系列产品首先推出的两项产品，由于导通电阻小且总闸极电荷量也明显地比较低，新系列产品拥有优异的性能及较佳的效能。 两款产品都是30V (BVDSS)。  因为闸极电荷量(Qg)仅为8.8nC (奈米库伦)，且在10V电压时，导通电阻Rds(on)为7.2毫欧，STD60N3LH5是非隔离DC-DC降压转换器中的控制型FET的理想选择。STD85N3LH5在10V电压时，导通电阻Rds(on) 为4.2毫欧，闸极电荷量为14nC，使其成为同步 MOFET的最佳选择。 两款新产品都采用DPAK和IPAK封装，不久还将推出采用SO-8、PowerFLAT 3.3x3.3、PowerFLAT 6x5和PolarPAK ®封装的产品。 新系列STripFET V产品最适合应用于笔记型计算机、服务器、电信和网络系统。 

ST的STripFET技术利用非常高的”等效单元密度”( equivalent cell density)和更小的单元特征尺寸来达到极低的导通电阻和转换损耗，同时占用较小的硅晶元面积。 STripFET V是最新的STripFET技术，与上一代技术相比，在硅晶元阻抗和导通区间两大关键指数上，可提升大约35%，同时每导通区间内的总闸极电荷量可降低25%。

两项产品现都已正式量产中。STMicroelectronics公司网站:www.st.com/pmos。

关于意法半导体
意法半导体(STMicroelectronics)是全球领先的半导体设计、制造及销售供货商，提供完整的解决方案以应用于各种电子相关产品领域。意法半导体卓越地结合了芯片与系统开发的专业技术能力、制造优势、智财组合（IP portfolio ），以及策略伙伴，使其在系统芯片（SoC）技术上，占有领先的地位，而其产品在今日的整合市场上，更扮演着关键性推手的角色。意法半导体已在纽约证券交易所 (New York Stock Exchange)、巴黎 Euronext Paris，以及米兰证券交易所（Milan Stock Exchange）上市。2007年，意法半导体的净收入为100亿美元。STMicroelectronics公司网站:www.st.com/pmos。