恩智浦NextPower MOSFET以行业最低RDS (on) 全面提升效率

恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V. (NASDAQ：NXPI) 今日宣布，其采用LFPAK封装的NextPower系列25V和30V MOSFET将有15款新产品开始供货。这些恩智浦功率MOSFET家族的最新成员在六个关键参数方面找到了最佳平衡点，并且具有行业最低的RDS(on)（25V和30V均为亚1mΩ级），是高性能、高可靠性开关应用的理想之选。传统方法主要着眼于降低RDS(on)和Qg，而恩智浦NextPower则采用超结技术来优化低RDS(on)、低Qoss、低Qg(tot) 与Qgd之间的平衡，从而实现强大的开关性能，减少漏极输出与源极引脚之间的损耗，同时提供卓越的SOA性能。此外，恩智浦LFPAK作为最坚固的Power-SO8封装，尺寸紧凑，面积仅为5mm x 6mm，可在恶劣环境下提供出色的功率开关功能。

•恩智浦NextPower系列25V和30V MOSFET在以下六个参数方面性能表现优异：
o低RDS(on)——拥有行业最低RDS(on)的Power-SO8封装产品——在SYNC FET或功率OR-ing应用下具有I2R损耗低、性能出色的特点
o低Qoss，有利于减少漏极与源引脚之间的损耗，当输出引脚上出现电压变化时，还可减少输出电容(Coss) 中存储的损耗能量
o低Miller电荷(Qgd)，有利于减少开关损耗和高频开关次数
oSOA性能可以极好地承受过载和故障条件
o低栅极电荷(Qg)可以减少栅极驱动电路中的损耗
o出色的额定结点温度Tj(max)，坚固型Power-SO8 LFPAK封装则为条件恶劣且对可靠性要求较高的环境提供了保障
•主要应用领域包括同步降压稳压器、DC-DC转换、稳压器模块和功率OR-ing

积极评价：
•恩智浦半导体功率MOSFET部营销经理Charles Limonard表示：“在25V和30V条件下实现行业最低的RDS (on)，这只是其突出表现的一部分。最新NextPower器件的真正突破在于，我们还可以控制MOSFET行为的各个方面——超越导通电阻和栅极电荷——为开关应用带来高性能、高可靠性和最大功效。”

链接：
•采用LFPAK封装的NextPower 25V和30V MOSFET

型号：
•NextPower 25V MOSFET：PSMN0R9-25YLC、PSMN1R1-25YLC、PSMN1R2-25YLC、PSMN1R7-25YLC、PSMN1R9-25YLC、PSMN2R2-25YLC、PSMN2R9-25YLC、PSMN3R2-25YLC、PSMN3R7-25YLC、PSMN4R0-25YLC
•NextPower 30V MOSFET：PSMN1R0-30YLC、PSMN1R2-30YLC、PSMN1R5-30YLC、PSMN2R2-30YLC、PSMN2R6-30YLC、PSMN3R2-30YLC、PSMN3R7-30YLC、PSMN4R1-30YLC、PSMN4R5-30YLC

关于恩智浦半导体
恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V. (Nasdaq: NXPI) 以其领先的射频、模拟、电源管理、接口、安全和数字处理方面的专长，提供高性能混合信号（High Performance Mixed Signal）和标准产品解决方案。这些创新的产品和解决方案可广泛应用于汽车、智能识别、无线基础设施、照明、工业、移动、消费和计算等领域。公司在全球逾25个国家都设有业务执行机构，2010年公司营业额达到44亿美元。更多恩智浦相关信息，请登录公司官方网站www.nxp.com 查询。