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专注于无线连接和移动市场开发创新的下一代射频解决方案的无晶圆厂半导体公司RFaxis，今天在英特尔移动通信事业部主办的IWPC下一代移动设备平台架构会议上发布了一款新的28纳米CMOS多频带/多模式射频前端集成电路(RFeIC（TM）)。 这款命名为Nano-RFeIC（TM）的深亚微米产品可以采用多种芯片工艺制造，如32纳米、40/45纳米、55/65纳米以及其他商业上可行的亚微米CMOS工艺。
首席运营官Hal Hikita评价说："被高通公司收购的Berkana Wireless公司曾说过，将无线和基带功能集成在一块CMOS硅芯片上可以说是集成的最高境界。不幸的是，在摩尔定律推动数字元件设计越来越趋于小尺寸工艺的时候，这给那些将射频元件和收发器、基带功能集成在一起的射频芯片提出了明确的挑战。显而易见，射频芯片采用一种不同的创新技术非常有必要。"
RFaxis首席技术官Oleksandr Gorbachov博士继续评论说："按Hal Hikita所说，RFaxis为两个独立辅助RFeIC（TM）芯片提供了功能全面和可扩展的创新射频技术，即集成了收发器和基带功能的射频前端芯片。特别是，RFaxis技术不需要前置失真电路，避免了产生破坏电压，实现了真正的线性放大。新的28纳米Nano-RFeIC（TM）是为2.4GHz和5.0GHz频段设计的，支持WLAN和蓝牙同时操作。这款Nano-RFeIC（TM）单芯片还集成了能够为发送操作提供最先进的EVM功率的高效线性功率放大器、提供高接收灵敏度的低噪声放大器、切换电路（发射/接收、模式和频段切换等等）、功率侦测、真正的定向隔离器、共生谐波滤波器、阻抗匹配和CMOS逻辑控制电路。
RFaxis董事长兼首席执行官Mike Neshat总结说："我们的硅芯片技术已经成功地证明了它的多用性，RFeIC（TM）可以用于各式各样的应用，现在我们可以毫不费力地将我们的RFeIC（TM）移植到纳米级工艺。选择28纳米CMOS工艺能够缓解目前的射频芯片挑战，迎来新一代超低功耗移动设备，如智能电话、平板电脑、移动互联网设备（MID）以及服务器端设备，如用户终端设备（CPE）。在我们加速完成从射频前端业务向高端业务的战略转移过程中，我们扫清了影响射频和数字同步创新的障碍。因为我们的产品目前已经满足系统级封装（SiP）公司的需求，我们的Nano-RFeIC（TM）产品也将满足这些系统级封装公司。此外，我们的Nano-RFeIC（TM）产品现在已经完全为系统级芯片（SoC）公司缩小了在射频上的差距。我们预计将在2011年四季度为我们的战略合作伙伴提供Nano-RFeIC（TM）产品的样品。 "
欲了解更多有关射频前端集成在纳米级CMOS技术下的挑战，以及RFaxis如何开启前进道路的信息，请参阅RFaxis的最新白皮书："Challenges and Path Forward for RF Front-end Integration in Nano-Scale CMOS for Wireless Communications," at www.rfaxis.com/downloads
关于RFaxis公司
RFaxis公司位于加利福尼亚州欧文，是一家专业从事射频半导体和嵌入式天线解决方案开发设计的公司。公司面向规模达数十亿美元的无线局域网、802.11n/MIMO、ZigBee、WiMAX、蓝牙、无线视频和手机市场，凭借其专利技术引领下一代无线解决方案。通过将CMOS技术同自己的创新方法和电路技术相结合，RFaxis开发出世界上第一个射频前端芯片（RFeIC(TM)）。想了解更多信息请访问：www.rfaxis.com。
首席运营官Hal Hikita评价说："被高通公司收购的Berkana Wireless公司曾说过，将无线和基带功能集成在一块CMOS硅芯片上可以说是集成的最高境界。不幸的是，在摩尔定律推动数字元件设计越来越趋于小尺寸工艺的时候，这给那些将射频元件和收发器、基带功能集成在一起的射频芯片提出了明确的挑战。显而易见，射频芯片采用一种不同的创新技术非常有必要。"
RFaxis首席技术官Oleksandr Gorbachov博士继续评论说："按Hal Hikita所说，RFaxis为两个独立辅助RFeIC（TM）芯片提供了功能全面和可扩展的创新射频技术，即集成了收发器和基带功能的射频前端芯片。特别是，RFaxis技术不需要前置失真电路，避免了产生破坏电压，实现了真正的线性放大。新的28纳米Nano-RFeIC（TM）是为2.4GHz和5.0GHz频段设计的，支持WLAN和蓝牙同时操作。这款Nano-RFeIC（TM）单芯片还集成了能够为发送操作提供最先进的EVM功率的高效线性功率放大器、提供高接收灵敏度的低噪声放大器、切换电路（发射/接收、模式和频段切换等等）、功率侦测、真正的定向隔离器、共生谐波滤波器、阻抗匹配和CMOS逻辑控制电路。
RFaxis董事长兼首席执行官Mike Neshat总结说："我们的硅芯片技术已经成功地证明了它的多用性，RFeIC（TM）可以用于各式各样的应用，现在我们可以毫不费力地将我们的RFeIC（TM）移植到纳米级工艺。选择28纳米CMOS工艺能够缓解目前的射频芯片挑战，迎来新一代超低功耗移动设备，如智能电话、平板电脑、移动互联网设备（MID）以及服务器端设备，如用户终端设备（CPE）。在我们加速完成从射频前端业务向高端业务的战略转移过程中，我们扫清了影响射频和数字同步创新的障碍。因为我们的产品目前已经满足系统级封装（SiP）公司的需求，我们的Nano-RFeIC（TM）产品也将满足这些系统级封装公司。此外，我们的Nano-RFeIC（TM）产品现在已经完全为系统级芯片（SoC）公司缩小了在射频上的差距。我们预计将在2011年四季度为我们的战略合作伙伴提供Nano-RFeIC（TM）产品的样品。 "
欲了解更多有关射频前端集成在纳米级CMOS技术下的挑战，以及RFaxis如何开启前进道路的信息，请参阅RFaxis的最新白皮书："Challenges and Path Forward for RF Front-end Integration in Nano-Scale CMOS for Wireless Communications," at www.rfaxis.com/downloads
关于RFaxis公司
RFaxis公司位于加利福尼亚州欧文，是一家专业从事射频半导体和嵌入式天线解决方案开发设计的公司。公司面向规模达数十亿美元的无线局域网、802.11n/MIMO、ZigBee、WiMAX、蓝牙、无线视频和手机市场，凭借其专利技术引领下一代无线解决方案。通过将CMOS技术同自己的创新方法和电路技术相结合，RFaxis开发出世界上第一个射频前端芯片（RFeIC(TM)）。想了解更多信息请访问：
