当前位置： CompoTech China > 厂商大本营（旧版） >
MOSAID Technologies公司（多伦多证券交易所股票代码：MSD）今天宣布，公司将推出业界最快的NAND闪存半导体器件样品。MOSAID的256Gb HLNAND（TM）2（HyperLink NAND）器件的每通道数据传输率高达800MB/s，比目前市场上的NAND闪存快一倍以上。MOSAID的HLNAND2针对海量存储应用，包括企业数据中心和高性能计算应用，可使产品设计者开发GB/s级性能和TB级存储容量的固态硬盘（SSD）。
MOSAID研发副总裁Jin-Ki Kim表示："我们很高兴能成为第一家生产具有DDR800性能的NAND闪存器件的公司。256Gb HLNAND2器件针对大量需要高性能和高可扩展性的闪存存储应用进行了优化。我们相信，HLNAND2为需要高性能和高存储容量的闪存存储应用提供了业内最具成本效益的解决方案。"
MOSAID的HLNAND2闪存规格采用了高速、点对点环形拓扑结构，推动SSD的数据传输速率进入数GB/s性能范围。HLNAND2支持每通道最高800MB/秒的原始数据速率和基于DuplexRW（TM）的每通道1600MB/秒数据传输速率，只需要一个内存通道就可使主机接口传输速率超过1GB/秒。相比之下，基于并行总线结构的NAND闪存接口的传输速率被限制在200MB/秒到400MB/s，而且只有少数器件被每个通道都支持。
Kim表示："HLNAND的点对点接口通过减少加载，创建了一个非常清洁的信号环境，使开发者能开发拥有TB级容量且数据传输速率不下降的固态硬盘。HLNAND的环形拓扑结构也不再需要困扰各种并行总线闪存产品的高耗电片内终结器。"
HLNAND2虽然使用8位同步DDR数据总线，但采用了源同步时钟，因此运行时钟频率最高可达400MHz，数据输出速率最高可达800MB/s。其他功能还包括：
-- 与2代和3代PCI Express等高速系统互连高度匹配的闪存接口速度
-- DuplexRW（TM）：DDR800同步读写，1600MB/s有效数据吞吐率，非常适合PCIe双工特性
-- 通过自动截尾包省电
-- 在"命令包"内置EDC（错误检测代码），为分组协议通信提供最佳可靠性
HLNAND2的完整规格可在 www.hlnand.com / 256GB HLNAND2 （DDR533/DDR667/DDR800）下载
HLNAND2闪存器件是由9个芯片堆叠组成的MCP（多芯片封装）：其中8个为行业标准的NAND闪存芯片，一个为MOSAID专有的ASIC接口芯片。MCP采用100球BGA封装，尺寸为18毫米x14毫米。
这种设计或者支持单片32nm/2xnm切换模式，或者支持传统的异步NAND闪存芯片，平均分布在4个bank上。接口芯片包含外置高速超链接接口，可自动和独立控制每个闪存Bank。EDC功能消除了"指令分组"中的位错误，确保指令通信和寄存器数据的可靠性和无差错通信。该器件为读取操作提供了可由用户配置的虚拟页面，页面深度选择有2048B、4096B、8192B和包括额外位的整个页面。
产品上市
MOSAID今天还宣布，已与WinPAC公司签署了为期5年的授权生产协议。WinPAC将封装和销售成品HLNAND器件，包括256Gb HLNAND2（DDR533/DDR667/DDR800）和在2011年7月宣布准备投产的256Gb HLNAND（DDR266）。
MOSAID将在NVRAMOS11上展示
MOSAID将于2011年11月7日至10日在韩国济州岛举行的下一代大规模非易失性随机存取存储器操作系统支持会议（NVRAMOS11）上展示其HLNAND技术，并发表一篇相关论文。
关于HyperLink（HL）NAND闪存
HLNAND闪存是一种高性能解决方案，结合了MOSAID自己的HyperLink内存技术与行业标准的NAND闪存单元技术，提供了业内最先进的功能集，达到超过传统闪存10倍的持续I/O带宽。欲了解更多信息，请访问www.hlnand.com 。
关于MOSAID
MOSAID Technologies公司是全球领先的知识产权公司之一。MOSAID专业从事半导体和通信领域专利知识产权的许可以及半导体存储技术的开发。MOSAID的被许可方中有很多为全球最大的科技公司。MOSAID成立于1975年，在安大略省渥太华、德州普拉诺和卢森堡设有机构。详情请询：www.mosaid.com 和 http://InvestorChannel.com 。
关于Winpac
Winpac专注于半导体封装和设备测试技术。Winpac创立于2002年，专业研发细间距球栅阵列（FBGA）封装和晶圆级封装（WLP）技术。Winpac在韩国京畿道设有制造厂，在加利福尼亚州圣何塞设有销售和市场营销机构。欲了解详情，请访问：www.winpac.co.kr
欲浏览本新闻稿附带的图片，请访问以下链接：http://www.marketwire.com/library/20111101-MOS_1102_800.jpg
MOSAID研发副总裁Jin-Ki Kim表示："我们很高兴能成为第一家生产具有DDR800性能的NAND闪存器件的公司。256Gb HLNAND2器件针对大量需要高性能和高可扩展性的闪存存储应用进行了优化。我们相信，HLNAND2为需要高性能和高存储容量的闪存存储应用提供了业内最具成本效益的解决方案。"
MOSAID的HLNAND2闪存规格采用了高速、点对点环形拓扑结构，推动SSD的数据传输速率进入数GB/s性能范围。HLNAND2支持每通道最高800MB/秒的原始数据速率和基于DuplexRW（TM）的每通道1600MB/秒数据传输速率，只需要一个内存通道就可使主机接口传输速率超过1GB/秒。相比之下，基于并行总线结构的NAND闪存接口的传输速率被限制在200MB/秒到400MB/s，而且只有少数器件被每个通道都支持。
Kim表示："HLNAND的点对点接口通过减少加载，创建了一个非常清洁的信号环境，使开发者能开发拥有TB级容量且数据传输速率不下降的固态硬盘。HLNAND的环形拓扑结构也不再需要困扰各种并行总线闪存产品的高耗电片内终结器。"
HLNAND2虽然使用8位同步DDR数据总线，但采用了源同步时钟，因此运行时钟频率最高可达400MHz，数据输出速率最高可达800MB/s。其他功能还包括：
-- 与2代和3代PCI Express等高速系统互连高度匹配的闪存接口速度
-- DuplexRW（TM）：DDR800同步读写，1600MB/s有效数据吞吐率，非常适合PCIe双工特性
-- 通过自动截尾包省电
-- 在"命令包"内置EDC（错误检测代码），为分组协议通信提供最佳可靠性
HLNAND2的完整规格可在 www.hlnand.com / 256GB HLNAND2 （DDR533/DDR667/DDR800）下载
HLNAND2闪存器件是由9个芯片堆叠组成的MCP（多芯片封装）：其中8个为行业标准的NAND闪存芯片，一个为MOSAID专有的ASIC接口芯片。MCP采用100球BGA封装，尺寸为18毫米x14毫米。
这种设计或者支持单片32nm/2xnm切换模式，或者支持传统的异步NAND闪存芯片，平均分布在4个bank上。接口芯片包含外置高速超链接接口，可自动和独立控制每个闪存Bank。EDC功能消除了"指令分组"中的位错误，确保指令通信和寄存器数据的可靠性和无差错通信。该器件为读取操作提供了可由用户配置的虚拟页面，页面深度选择有2048B、4096B、8192B和包括额外位的整个页面。
产品上市
MOSAID今天还宣布，已与WinPAC公司签署了为期5年的授权生产协议。WinPAC将封装和销售成品HLNAND器件，包括256Gb HLNAND2（DDR533/DDR667/DDR800）和在2011年7月宣布准备投产的256Gb HLNAND（DDR266）。
MOSAID将在NVRAMOS11上展示
MOSAID将于2011年11月7日至10日在韩国济州岛举行的下一代大规模非易失性随机存取存储器操作系统支持会议（NVRAMOS11）上展示其HLNAND技术，并发表一篇相关论文。
关于HyperLink（HL）NAND闪存
HLNAND闪存是一种高性能解决方案，结合了MOSAID自己的HyperLink内存技术与行业标准的NAND闪存单元技术，提供了业内最先进的功能集，达到超过传统闪存10倍的持续I/O带宽。欲了解更多信息，请访问
关于MOSAID
MOSAID Technologies公司是全球领先的知识产权公司之一。MOSAID专业从事半导体和通信领域专利知识产权的许可以及半导体存储技术的开发。MOSAID的被许可方中有很多为全球最大的科技公司。MOSAID成立于1975年，在安大略省渥太华、德州普拉诺和卢森堡设有机构。详情请询：www.mosaid.com 和 http://InvestorChannel.com 。
关于Winpac
Winpac专注于半导体封装和设备测试技术。Winpac创立于2002年，专业研发细间距球栅阵列（FBGA）封装和晶圆级封装（WLP）技术。Winpac在韩国京畿道设有制造厂，在加利福尼亚州圣何塞设有销售和市场营销机构。欲了解详情，请访问：
欲浏览本新闻稿附带的图片，请访问以下链接：
