AMD成功研发一项创新的晶体管技术

美商超微半导体 (AMD) 的研发人员成功开发一种新一代的晶体管。这是半导体业一项具有开创性的重要研究成果，显示晶体管技术已迈进一个新的里程。
 
AMD 的研发人员在实验室内成功开发一种高效能的晶体管，其效能比目前公认的高效能 P 通道金属氧化半导体 (PMOS) 高 30%，AMD 计划在今年 6 月全面公布这项研究的实验结果。这种晶体管采用 AMD 专有的技术，其中包括一般称为完全空乏区的绝缘层上硅晶(Fully Depleted Silicon-on-Insulator)。
 
在另一相关的研究中，AMD 的研发人员利用金属闸门成功开发一种受压 (strained) 硅片晶体管，其效能比传统的受压硅片晶体管高 20 至 25%，为业界创下新的晶体管效能标准。
 
AMD 一直积极研发先进的制程技术，部分研究成果更已成为该公司整个制程技术开发过程中的重要里程碑。由于 AMD 可以充分利用这些新技术设计新一代的微处理器，因此能够满足客户最严格的要求。
 
AMD 制程技术开发副总裁 Craig Sander 表示：AMD 一直带领业界致力开发低漏电、低电压的高效能晶体管，为我们的设计工程师提供一切必要的组件，让他们可以设计切合客户需要的解决方案。
 
AMD 运算产品部副总裁暨技术事务长 Fred Weber 表示：要有合适的工具及材料才会有好的设计， AMD 一直致力研发这类先进的技术，也已成功开发各种先进功能及匠心独具的架构设计，满足客户的需求。
 
预计在未来 5 至 10 年内，这方面的最新研发成果将会在整个半导体生产流程之中扮演一个极为重要的角色。AMD 将出席今年 6 月 11 日至 12 日在日本京都举行的大规模集成电路研讨会 (VLSI Symosium)，并计划在会中首次公开发表这两项研究的结果。