Direct FET 技術再突破IR推出新一代MOSFET晶片組

延續去年以DriectFET封裝技術，成功推出大電流DC-DC轉換器之後，國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR）於日前推出以相同封裝技術為基礎，符合體積小、高效率和最大導熱性能要求，同時也適用於現有及新一代VRM 10.x、大電流輸出同步降壓轉換器的控制與同步MOSFET晶片組- IR6608和IR6618。
最新的IRF6608控制MOSFET的典型導通電阻 (RDS(on)) 為8.5mOhm，IRF6618同步MOSFET則為1.7mOhm，這兩款元件皆採用IR的DirectFET封裝；其封裝體積只有標準SO-8封裝的一半，是首項採用雙面冷卻、表面黏著型DirectFET「S」封裝的HEXFET MOSFET，元件高度僅0.7mm，SO-8則為1.75mm。
IRF6608的導通電阻超越市場上同類型控制MOSFET達10%，柵電荷 (QG) 和柵漏電荷 (QGD) 更低，整體效率高出2% 以上，是最佳的控制MOSFET。而IRF6618的典型導通電阻為1.7mOhm，最高為2.2mOhm，超越市場上同類型元件達25%。這項元件最適合同步MOSFET應用，因為低傳導損耗對這些應用十分重要。IRF6618還可用於大電流、隔離式直流-直流轉換器的次級同步整流。
設計人員可以利用這個新款的DirectFET晶片組，針對符合VRM 10.x規格的1U (1.75吋高) 伺服器系統，製作體積極小 (0.98吋) 的功率轉換器。新晶片組還適用於伺服器中的降壓轉換器及電信和網路通訊系統中的負載端轉換器。
這兩款元件不論在封裝面積、電流密度等效能表現上，與前一代產品相較，都有20%以上的改進程度，該公司目前已經研發出內阻僅為1mOhm的MOFSET樣本，足以證明IR DirectFET技術的優越性與發展潛力。
目前IR的DirectFET功率MOSFET已經列入IR myPOWER網上選用手冊內，有興趣的使用者可以瀏覽請瀏覽www.irf.com/design-center/ipowir/ip2001/index.html。 IRF6608與IR6618等新一代的DirectFET MOSFET已開始供應。