Ultratech推出適用於20奈米以下的雷射熱處理技術

成立於1979年的Ultratech是一間專注於半導體與奈米技術裝置的光蝕刻系統的領導廠商，該公司於日前成功研發IC出業界第一套雷射熱處理(Laser Thermal Processing; 以下簡稱LTP)技術裝置，將能夠順利協助製造商將能應用於20奈米以下的環境。
根據該公司雷射產品技術總監馮美博士指出，Ultratech從事熱處裡的經驗已經超過25年，最近五年的發展重心是放在90奈米層次的技術，LTP的成功開發是繼銅製程在20年前改變互連技術後，第一項重大的熱處理技術升級；透過LTP的應用將能此技術能大幅加快回火/活化的時間，克服許多現有的熱擴散限制。Ultratech 估計LTP與開創次微米時代的前一代快速熱處理技術(rapid thermal processing; RTP)一樣，將成為奈米技術領域的關鍵技術，為產業帶來革命性的影響。
透過與美國及日本各大晶片製造商合作並就LTP進行一連串的檢測，在數千片8吋與12吋晶圓上測試雷射回火處理，並在一系列不同的製程條件下進行晶圓測試後顯示，Ultratech的LTP技術能在數奈秒的時間內活化極湹慕狱c，在零發熱額度的條件下達到要求的效能特性。目前這些技術已獲得超過20項專利，並有40項專利正在申請流程中－預期將協助解決多未來元件小型化關鍵性的障礙。
Ultratech 已有生產與晶圓測試的測試結果，能支援LTP突破性的技術潛力並提供未來的延伸性，以滿足ITRS發展的需求。LTP的測設結果顯示其所造成的高表面集中度的突起接點(abrupt profile junctions)，可應用於20奈米以下的技術中；此外，由於其製程結果與元件及晶圓線路密度的關聯性較低，這對於將技術整合至晶圓廠多元化的製程環境而言是一個相當重要的關鍵。
目前Ultratech 已針對量產環境進行最佳化的處理，LTP即將邁入商業的化階段，現階段第一套採用LTP技術平台的商業化產品是雷射瞬間回火方案(Laser spike annealing; LSA)，在過去12個月來，Ultratech 已推出多款LSA研發工具，目前也已接到第一套生產工具的訂單，預計於今年底出貨並於2004年開始量產供應。
除了LTP之外，多年來Ultratech也專門從事顯影設備的研發、生產與銷售並廣泛地被應用在全球半導體及奈米科技元件的生產過程。同時，該公司也是金質與焊錫凸塊蝕刻以及12吋晶圓級封裝(wafer-level chip scale packaging, WLCSP)技術的領導廠商。