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130奈米以下環境結合更小的製程時間限制、新的材料、以及更精密的製程，衍生出各種新型態且更具挑戰性的缺陷，進而成為嚴重影響良率與可靠度的問題。這些缺陷的體積極小，或深埋與嵌入在高長寬比架構的填孔與未填導孔(如圖1所示)，其不僅具有電性差異，而且無法利用傳統的檢測技術偵測出來.
電子線路監控讓TI DMOS6能降低開放性導孔偏移的幅度與頻率。metal 2開放性導孔缺陷密度的減少，良率可提高15%至20%
參考資料: Soucek, M., et al., “Electrical Line Monitoring in a Cu Fab,”
Semiconductor International, July 2003.
在前一代製程中，電子束檢測技術在IC的研發階段就能有效辨識這些影響良率的缺陷。現今有許多在研發階段沒有發現的問題，其一旦出現在量產環境，往往一個偏移缺陷就會造成數以百萬美元計的損失。若要克服這些新的挑戰，必需在每個重要製程步驟中採用專屬的高速電子束檢測系統，也就是真正的電性線上即時監視技術。
KLA-Tencor为了填补此项制程控制的重要缺口，推出新型eS30电性在线检测系统，是目前业界速度最快、最灵敏、且最容易使用的電子線路監控解決方案。eS30能有效克服產量與持有成本方案的阻礙，這些因素以往使業者無法在生產環境中採用電子束檢視系統，eS30因而成為所有IC技術週期階段的最佳選擇，包括研發、試產、以及量產。元件製造商透過eS30可在量產環境哂玫统杀镜碾娮尤毕荼O視機制，達到產品上市時程的目標，同時大幅提高良率與獲利。
一家大型日本逻辑制造商采用电子束检测，其90奈米制程的速度较130奈米制程快出25%
参考数据: Mizuta, et al., KLA-Tencor Yield Management Seminar, Japan, Dec. 2002.
eS30 優勢
• 產量提高2倍以上
• 靈敏度與解析度提 高2倍以上
• 支援65奈米以下的 量測靈敏度
• 能以在線模式快速辨識會影響良率的缺陷
• 哂胑-Control™強化偵測voltage contrast型缺陷
• 大範圍的landing energies: 500至2000 eV
• 改進檢視解析度至20 nm
電子線路監控讓TI DMOS6能降低開放性導孔偏移的幅度與頻率。metal 2開放性導孔缺陷密度的減少，良率可提高15%至20%
參考資料: Soucek, M., et al., “Electrical Line Monitoring in a Cu Fab,”
Semiconductor International, July 2003.
在前一代製程中，電子束檢測技術在IC的研發階段就能有效辨識這些影響良率的缺陷。現今有許多在研發階段沒有發現的問題，其一旦出現在量產環境，往往一個偏移缺陷就會造成數以百萬美元計的損失。若要克服這些新的挑戰，必需在每個重要製程步驟中採用專屬的高速電子束檢測系統，也就是真正的電性線上即時監視技術。
KLA-Tencor为了填补此项制程控制的重要缺口，推出新型eS30电性在线检测系统，是目前业界速度最快、最灵敏、且最容易使用的電子線路監控解決方案。eS30能有效克服產量與持有成本方案的阻礙，這些因素以往使業者無法在生產環境中採用電子束檢視系統，eS30因而成為所有IC技術週期階段的最佳選擇，包括研發、試產、以及量產。元件製造商透過eS30可在量產環境哂玫统杀镜碾娮尤毕荼O視機制，達到產品上市時程的目標，同時大幅提高良率與獲利。
一家大型日本逻辑制造商采用电子束检测，其90奈米制程的速度较130奈米制程快出25%
参考数据: Mizuta, et al., KLA-Tencor Yield Management Seminar, Japan, Dec. 2002.
eS30 優勢
• 產量提高2倍以上
• 靈敏度與解析度提 高2倍以上
• 支援65奈米以下的 量測靈敏度
• 能以在線模式快速辨識會影響良率的缺陷
• 哂胑-Control™強化偵測voltage contrast型缺陷
• 大範圍的landing energies: 500至2000 eV
• 改進檢視解析度至20 nm
