AMD研究成果超越半导体行业的2009性能预测

对于关注半导体行业的专业人士而言，“AMD”这个今天炙手可热的名字绝不仅仅意味着“64位”，让他们牢牢记住这个公司的事情是大约一个月前的9月18日，于东京举行的固态设备和材料国际研讨会。在这次国际性技术大会上，AMD研究人员详细介绍了其新型三闸极式晶体管的创新发明，该晶体管采用了下一代绝缘硅（SOI）和高级金属门技术。这一创新让所有与会人员为之而兴奋，因为它为半导体技术发展满足未来需求指明了一条最明晰的道路。

AMD表示，这种独特设计使其比目前已发布的任何多门设计在性能上的提高多达50%。这超越了国际半导体技术蓝图（ITRS）所设定的2009年的需求标准，不过由于这一设计与现有制造技术高度兼容，因此AMD将其视为可望提前在2007年进行批量生产的优先技术。

AMD制造工艺技术开发部副总裁Craig Sander表示：“这种全新的三闸极式设计，将使得我们在实现多门晶体管产业化方面又向前迈进了一步。正是此项研究使我们能够迅速为客户推出更高性能的解决方案，这种多门晶体管的设计与现有制造技术高度兼容，可提高我们将该技术应用于批量生产的能力。”

微芯片晶体管的主要工作部件是能够控制电流通断的微型开关，而提高晶体管性能是使微处理器具备更好性能的关键。
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技术细节

会上演示的研究成果将多种高级技术组合到单一结构上，从而最大限度地提高晶体管的开关性能，并减少功率的损耗。采用全绝缘硅晶体管（FDSOI）技术设计的一个独特超细电路的三侧都设有镍硅金属门，这种FDSOI和镍硅金属门的结合，使得电流通路内部的硅晶格产生受压效应，从而增强了载荷的移动率。

此外，多门和FDSOI结构提高了晶体管中电路的有效宽度，并能更好地进行电路控制。在这些因素的综合作用下，产生出较高的“开”电流和较低的“关”电流，并能更快地进行切换，从而大幅提高晶体管的总体性能。

欲了解该研究成果的更多详细信息，请访问www.amd.com/SSDM。

AMD 简介 

AMD（NYSE：AMD）于1969年在美国加利福尼亚州的硅谷成立，是个人和网络计算机及通信市场上的全球集成电路供应商，在美国、欧洲、日本和亚洲都设有制造厂。作为一家“标准普尔500”选定的指标上市公司，AMD为通信和网络应用生产和提供微处理器、闪存和基于硅技术的解决方案。

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