中国 上海 – 2013年7月1日 – 技术创新的射频解决方案领导厂商TriQuint半导体（纳斯达克代码：TQNT），今天发布了15款新型氮化镓（ GaN ）放大器和晶体管以及两套全新的氮化镓工艺。这些产品为通讯系统提供了性能、尺寸和耐用性的优势。
TriQuint公司中国区总经理熊挺指出由于TriQuint的工艺和产品解决方案的发展, 使得射频制造商更容易获取氮化镓的性能和优势。熊挺表示：“此项新发布也显示TriQuint加速了其创新的步伐。除了三套由包装、装配及测试服务支持的氮化镓工艺外，客户还能获取更多其它世界一流的产品。TriQuint全面解决最苛刻的射频要求，能够灵活地支持所有的客户。”
著名的研究机构Strategy Analytics预见了氮化镓这种极具意义的增长。半导体业务部总监Eric Higham说：“虽然国防领域是氮化镓最大的营收来源，但氮化镓在基础构架正迅速地发展壮大。通讯卫星 （Sat-Com）、功率和有线电视（CATV）也大大飙升了氮化镓的营收。 Strategy Analytics预测到2015年，氮化镓微电子装置的市场将以超过34%的复合年均增长率（CAAGR）增长大约至1.86亿美元。”
TriQuint在原有的四分之一微米工艺中补充了一个高压变体--TQGaN25HV。此新的制造工艺延伸了0.25微米氮化镓的漏极操作电压至48V，同时为DC-10 GHz应用提供更高的击穿电压、更强的功率密度和高增益。这些优势实现更坚固的设备， 可承受可能会破坏其他电路的电压驻波比（VSWR）的不匹配，同时提供更多的射频输出功率。TriQuint的新产品T1G4012036-FS/FL使用了此新的制造工艺，该款新产品是一个适用于基础构架的120W功率封装晶体管，体积比类似的LDMOS装置小了将近三分之二。其他以TQGaN25HV构建的产品现也已提供。
TriQuint以其TQGaN15工艺将氮化镓技术推向了新的极限。该工艺将氮化镓的频率范围扩大至了40 GHz，同时提供高功率密度和低噪声性能。此0.15微米的氮化镓-碳化硅（SiC）工艺用于制成TriQuint新型的TGA2594（5W）和TGA2595（10W）Ka波段的VSAT地面终端放大器。它们有高达35％的功率附加效率（PAE），体积与相对的砷化镓（GaAs）解决方案也小了三倍。其他以TQGaN15构建的产品现也已提供。
TriQuint 全新氮化镓解决方案的产品组合还包括了突破性的TAT9988，一个可用于有线电视和光纤到户光学网络的直接接入电路板式单片式微波集成电路（MMIC）放大器。TAT9988由TriQuint第二代的原始TQGaN25工艺制成，在增益、复合失真性能和表面安装便利性上都处于行业领先地位。
产品解决方案技术参数：如需了解更多信息，请联系TriQuint。
放大器
产品类型 频率范围 (GHz) 饱和功率 (W) P1dB (Psat) / OIP3 (dBm) 增益(dB) NF / PAE (dB) / (%) 电压 / 电流
(V / mA) 封装方式 型号
GaN S-Band PA 3 - 3.5 80 (49) / -- 22 – / 55 28 / 125 Die TGA2814
GaN S-Band PA 3 - 3.5 100 (50) /-- 22 – / 55 28 / 150 Die TGA2813
GaN C/X-Band HPA 6 - 12 30 (45) / – 30 – / 30 25 / 1100 Die TGA2590
GaN X-Band PA 9 - 10 20 (43) / -- 25 – / 50 25 / 150 Die TGA2624
GaN X-Band PA 9 - 10 30 (45) / -- 25 – / 45 25 / 250 Die TGA2622
GaN X-Band PA 9 - 10 60 (48) / -- 10 – / 35 24 / 2400 Die TGA2312-FL
GaN X-Band PA 10 - 11 30 (45) / -- 25 – / 45 25 / 250 Die TGA2623
GaN X-Band PA 10 - 11 16 (42) / -- 25 – / 45 25 / 150 Die TGA2625
GaN Ka-Band PA 27 - 31 5 (37) / -- 19 – / 30 20 / 280 Die TGA2594
GaN Ka-Band PA 27 - 31 10 (40) / -- 17 – / 25 20 / 560 Die TGA2595
驱动放大器
产品类型 频率范围(GHz) 饱和功率(W) P1dB (Psat) / OIP3 (dBm) 增益(dB) NF / PAE (dB) / (%) 电压 / 电流
(V / mA) 封装方式 型号
GaN 2W Driver PA 2 - 6 2 33 / -- 23 -- / 30 25 / 170 Die TGA2597
低噪声放大器
产品类型 频率范围
(GHz) P1dB / IIP3 (dBm) 增益(dB) NF
(dB) 电压 / 电流
(V / mA) 封装方式 型号
GaN LNA 2 - 6 25 25 1 10 / 100 Die TGA2611
GaN LNA 6 - 12 25 25 1.5 10 / 100 Die TGA2612
离散式射频功率晶体管
产品类型 频率范围
GHz) P1dB (Psat)
(dBm) 增益 (dB) DE
(%) 电压 /电流
(V / mA) 封装方式 型号
GaN 120W: EAR99 DC - 3.5 120 13 52 36 / 360 Ceramic T1G4012036-FS / -FL
GaN 10W: EAR99 DC - 6 40 16 53 32 / 50 5x5 QFN T1G6001032-SM
关于TriQuint
成立于1985年的TriQuint半导体公司（纳斯达克代码：TQNT）是为全球顶尖通信、国防和航空航天公司提供创新射频解决方案与代工服务的全球领先企业。全世界的人们和组织都需要实时、不间断的通信联系；TriQuint的产品可帮助降低用于提供关键语音、数据和视频通信的互联移动设备与网络的成本和提高它们的性能。凭借业内最广泛的技术系列、公认的研发领先地位以及在大规模制造领域的专业知识，TriQuint生产基于砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）、声表面波 (SAW) 和体声波（BAW）技术的标准及定制产品。该公司在美国拥有多家已通过ISO9001认证的制造工厂，在哥斯达黎加拥有生产中心，在北美地区和德国拥有设计中心。欲知更多信息请访问http://cn.triquint.com。
TriQuint: Reach Further, Reach Faster™
前瞻性声明
本TriQuint半导体公司（纳斯达克代码：TQNT）新闻稿包含依据1995年《私人证券诉讼改革法》的“安全港”条款所做的前瞻性声明。读者须知前瞻性声明包含风险与不确定性。本新闻稿中所做的警示性声明适用于所有相关声明，不论它们出现在什么地方。包含“出色”、“最”、“突出”、“优秀” 等字眼或类似词汇的陈述被视为包含不确定性和属于前瞻性声明。有许多因素都会影响TriQuint的经营结果，并可能造成其未来实际结果与本新闻稿中或者由TriQuint或代表TriQuint所做的任何其他前瞻性声明中所述的任何结果出现实质性出入，这些因素包括但不限于：与客户对我们的产品与技术的接受程度和需求的不可预测性和变动性有关的因素，我们的以及我们供应商的生产工厂满足需求的能力，我们的以及我们供应商的生产工厂以足以保持盈利的产量来生产产品的能力，以及TriQuint在美国证券交易委员会 (SEC) 备案的最新10-Q报告中阐述的其他“风险因素”。此报告以及可在SEC网站上找到的其他报告可能会导致实际结果与前瞻性声明中明示/暗示的期望出现实质性出入。
