经济回暖但晶圆厂扩产谨慎
自从2008年第三季度以来，全球没有一家新的内存晶圆厂投产。2010年这一情况仍将继续，直到2011年初，才会有有新的内存晶圆厂投产。这意味着，晶圆厂必须以现有晶圆厂的产能满足日益多样化，且增长迅速的各式存储芯片的需求。此外，晶圆厂投资巨大，短期内难以回收成本，这使得刚刚度过经济不景气的各晶圆厂，在扩充产能方面显得十分谨慎，因此充分挖掘晶圆厂现有产能成为现阶段以及未来相当长时间内的主要工作。这其中，提高晶圆制造后端自动测试的效率，降低测试成本是发掘产能的有效方法。
全新的平价高速存储器测试解决方案保障未来三代器件的发展需求
“存储器制造商一直在寻找一种既能满足其生产和功能需求又能提供比一代器件寿命更长、投资价值更高的节约型 ATE 解决方案。我们可升级的V93000 HSM测试平台的寿命，能够为从DDR3到DDR4 再到将来更高级的主流 DRAM 的至少三代设备提供卓越的投资回报。这些测试非常节约成本。” 惠瑞捷战略市場营销部副总裁Mark Allison表示
全新的HSM3G高速存储器测试解决方案，进一步拓展了面向DDR3世代主流存储器IC和更高级存储器件测试能力的V93000 HSM平台。V93000 HSM3G 独特的优势在于其未来的可升级性，能够为数据传输速度高达6.8 Gbps未来的三代 DDR 存储器提供价格低廉的测试服务，从而前所未有地长期节约经济成本。
V93000 HSM3G 的速度和功能将来都可以升级，提供了高速存储器测试市场上最完整的功能。其可编程的、快速的每引脚 APG 能力得到了数据总线倒置 (DBI) 和循环冗余校验码 (CRC) 数据的支持，能够对高级的 DDR4 存储器技术功能进行测试，确保了较高的测试质量和产量。
得益于其每引脚的存储器自动测试设备处理能力，V93000 HSM3G 可以节约高达20%的测试时间。它提供全并行模式的执行(parallel pattern execution)、全并行的直流检测以及眼宽的测量(eye-width measurements)，从而提供了非常高的多点效率。
V93000 HSM3G 在整个速度范围内实现了 2.9 Gbps 的原生数据传输率以及 256-site DDR3 实际并行测试(parallel testing)，而无需任何测试时间管理费用，也不会影响准确性、功能性、测试范围以及产量。得益于其原生速度余量(native speed headroom)，HSM3G 可以满足所有主流DDR3 总线速度需求以及高端游戏 DDR3 以及前两个 DDR4 大规模速度等级。V93000 平台架构确保将来能够升级到更高速的设备。
收购Touchdown Technologies不到一年推出新一代产品
创立于2004年，Touchdown Technologies于2009年被惠瑞捷收购，成为旗下全资子公司。不到一年时间，Touchdown Technologies就推出了其 1Td300 全晶圆探卡，这是该公司首款用于高级 DRAM 存储器件单次触压、高容量测试的探卡。该产品能够对 300 mm或200 mm 晶圆进行高并行测试(highly parallel testing)。
每探针只需要2g压力就能够测试整个300 mm晶圆——堪称业界最低的探针压力，所需压力不到市面上同类产品的一半——1Td300 探卡提供了双重优势，不仅能够降低对被测晶圆和整个测试台的压力，同时允许更高的引脚数，以拓展半导体测试范围。 (ITRS) 预计，到2011年，DRAM 的多芯片并行测试将从2010年测试的512个芯片增加到768个。这相当于目前 DRAM 超过50,000的引脚数，随着芯片尺寸继续变小逐渐攀升至100,000。
“由于对于 DDR3 存储器这样的高级半导体而言探针数逐渐增加，因此降低测试成本需要不断提高并行性(parallelism)水平。而通过我们新推出的 1Td300 探卡，我们已经开发出一个超低压力的单次触压、可靠性测试解决方案，能够在实现所需的平面度和接触性能的同时不损害被测器件。” Mark Allison表示
Touchdown Technologies 的新探卡使用获得专利的全晶圆架构和基于MEMS 的ACCU-TORQ弯曲探针进行非常平滑的单次触压测试。这是继去年面向 NAND 和 NOR 闪存推出首款 1Td300 单次触压探卡之后推出了该产品。
韩国客户安装首款具有每接脚8 Gbps高速存储卡V93000测试机
市场研究公司 iSuppli Corp. 表示，约有90%的 GDDR5设备均产自韩国。通过对这些高速存储器进行快速和全功能的测试，惠瑞捷的 V93000 HSM6800 让客户能应对高速发展的半导体市场（例如能生成更逼真更高分辨率图像的高级显卡）。
惠瑞捷在韩国一家不具名客户的生产厂内安装并验证其首款可生产的V93000 HSM6800系统。这套新系统是唯一的一款面向当今 GDDR5超快存储集成电路 (IC)（运行速度超过每接脚4 Gbps）的快速高良率测试解决方案。与当今市场上的其它超高速存储器测试系统相比，它具有明显的产能优势。
惠瑞捷已安装的新测试机用于客户最新设计芯片的工程和生产测试。该系统上市后还将能用于生产厂的 IC 样品和大批量测试。
“我们的 V93000 HSM6800系统每接脚具有8 Gbps 的能力，使用寿命更长，适用于多代储存器(multi-generation memory devices)，并具有最佳良率。在验证时，这款测试机的良率和吞吐量均高于与之相竞争的系统，从而能为客户提供更好的投资回报 (ROI)。”
惠瑞捷 V93000 HSM6800 系统的一系列丰富功能支持针对 GDDR5 设备众多先进功能的测试，包括地址总线倒置 (ABI)、数据总线倒置 (DBI) 和循环冗余码校验 (CRC)。这些功能预计也将适用于 DDR4。此外，该测试机的灵活 APG 架构能测试普通8-bit数据帧(frame)的存储器，还能扩展测试未来的10-bit数据帧存储器。凭借其可扩充设计，惠瑞捷 V93000 HSM 系列成为了能满足所有上市高速存储技术测试所需的性能、功能和经济要求的唯一平台。
除了这款新测试机，该客户还拥有惠瑞捷上一代 V93000 HSM3600这些系统4年来一直用于测试其高速存储 IC。
自从2008年第三季度以来，全球没有一家新的内存晶圆厂投产。2010年这一情况仍将继续，直到2011年初，才会有有新的内存晶圆厂投产。这意味着，晶圆厂必须以现有晶圆厂的产能满足日益多样化，且增长迅速的各式存储芯片的需求。此外，晶圆厂投资巨大，短期内难以回收成本，这使得刚刚度过经济不景气的各晶圆厂，在扩充产能方面显得十分谨慎，因此充分挖掘晶圆厂现有产能成为现阶段以及未来相当长时间内的主要工作。这其中，提高晶圆制造后端自动测试的效率，降低测试成本是发掘产能的有效方法。
全新的平价高速存储器测试解决方案保障未来三代器件的发展需求
“存储器制造商一直在寻找一种既能满足其生产和功能需求又能提供比一代器件寿命更长、投资价值更高的节约型 ATE 解决方案。我们可升级的V93000 HSM测试平台的寿命，能够为从DDR3到DDR4 再到将来更高级的主流 DRAM 的至少三代设备提供卓越的投资回报。这些测试非常节约成本。” 惠瑞捷战略市場营销部副总裁Mark Allison表示
全新的HSM3G高速存储器测试解决方案，进一步拓展了面向DDR3世代主流存储器IC和更高级存储器件测试能力的V93000 HSM平台。V93000 HSM3G 独特的优势在于其未来的可升级性，能够为数据传输速度高达6.8 Gbps未来的三代 DDR 存储器提供价格低廉的测试服务，从而前所未有地长期节约经济成本。
V93000 HSM3G 的速度和功能将来都可以升级，提供了高速存储器测试市场上最完整的功能。其可编程的、快速的每引脚 APG 能力得到了数据总线倒置 (DBI) 和循环冗余校验码 (CRC) 数据的支持，能够对高级的 DDR4 存储器技术功能进行测试，确保了较高的测试质量和产量。
得益于其每引脚的存储器自动测试设备处理能力，V93000 HSM3G 可以节约高达20%的测试时间。它提供全并行模式的执行(parallel pattern execution)、全并行的直流检测以及眼宽的测量(eye-width measurements)，从而提供了非常高的多点效率。
V93000 HSM3G 在整个速度范围内实现了 2.9 Gbps 的原生数据传输率以及 256-site DDR3 实际并行测试(parallel testing)，而无需任何测试时间管理费用，也不会影响准确性、功能性、测试范围以及产量。得益于其原生速度余量(native speed headroom)，HSM3G 可以满足所有主流DDR3 总线速度需求以及高端游戏 DDR3 以及前两个 DDR4 大规模速度等级。V93000 平台架构确保将来能够升级到更高速的设备。
收购Touchdown Technologies不到一年推出新一代产品
创立于2004年，Touchdown Technologies于2009年被惠瑞捷收购，成为旗下全资子公司。不到一年时间，Touchdown Technologies就推出了其 1Td300 全晶圆探卡，这是该公司首款用于高级 DRAM 存储器件单次触压、高容量测试的探卡。该产品能够对 300 mm或200 mm 晶圆进行高并行测试(highly parallel testing)。
每探针只需要2g压力就能够测试整个300 mm晶圆——堪称业界最低的探针压力，所需压力不到市面上同类产品的一半——1Td300 探卡提供了双重优势，不仅能够降低对被测晶圆和整个测试台的压力，同时允许更高的引脚数，以拓展半导体测试范围。 (ITRS) 预计，到2011年，DRAM 的多芯片并行测试将从2010年测试的512个芯片增加到768个。这相当于目前 DRAM 超过50,000的引脚数，随着芯片尺寸继续变小逐渐攀升至100,000。
“由于对于 DDR3 存储器这样的高级半导体而言探针数逐渐增加，因此降低测试成本需要不断提高并行性(parallelism)水平。而通过我们新推出的 1Td300 探卡，我们已经开发出一个超低压力的单次触压、可靠性测试解决方案，能够在实现所需的平面度和接触性能的同时不损害被测器件。” Mark Allison表示
Touchdown Technologies 的新探卡使用获得专利的全晶圆架构和基于MEMS 的ACCU-TORQ弯曲探针进行非常平滑的单次触压测试。这是继去年面向 NAND 和 NOR 闪存推出首款 1Td300 单次触压探卡之后推出了该产品。
韩国客户安装首款具有每接脚8 Gbps高速存储卡V93000测试机
市场研究公司 iSuppli Corp. 表示，约有90%的 GDDR5设备均产自韩国。通过对这些高速存储器进行快速和全功能的测试，惠瑞捷的 V93000 HSM6800 让客户能应对高速发展的半导体市场（例如能生成更逼真更高分辨率图像的高级显卡）。
惠瑞捷在韩国一家不具名客户的生产厂内安装并验证其首款可生产的V93000 HSM6800系统。这套新系统是唯一的一款面向当今 GDDR5超快存储集成电路 (IC)（运行速度超过每接脚4 Gbps）的快速高良率测试解决方案。与当今市场上的其它超高速存储器测试系统相比，它具有明显的产能优势。
惠瑞捷已安装的新测试机用于客户最新设计芯片的工程和生产测试。该系统上市后还将能用于生产厂的 IC 样品和大批量测试。
“我们的 V93000 HSM6800系统每接脚具有8 Gbps 的能力，使用寿命更长，适用于多代储存器(multi-generation memory devices)，并具有最佳良率。在验证时，这款测试机的良率和吞吐量均高于与之相竞争的系统，从而能为客户提供更好的投资回报 (ROI)。”
惠瑞捷 V93000 HSM6800 系统的一系列丰富功能支持针对 GDDR5 设备众多先进功能的测试，包括地址总线倒置 (ABI)、数据总线倒置 (DBI) 和循环冗余码校验 (CRC)。这些功能预计也将适用于 DDR4。此外，该测试机的灵活 APG 架构能测试普通8-bit数据帧(frame)的存储器，还能扩展测试未来的10-bit数据帧存储器。凭借其可扩充设计，惠瑞捷 V93000 HSM 系列成为了能满足所有上市高速存储技术测试所需的性能、功能和经济要求的唯一平台。
除了这款新测试机，该客户还拥有惠瑞捷上一代 V93000 HSM3600这些系统4年来一直用于测试其高速存储 IC。
