Chipworks分析三星电子DMZ 详尽解构独有的铜制CMOS影像感测器

本文作者:admin       点击: 2006-03-31 00:00
前言:
Chipworks公司宣布,分析了三星电子最新的S5K3BAF 2 Mp CMOS影像感测器 (CIS)模组。这是Chipworks首次发现运用了130纳米铜制程的CIS技术。图像阵列的‘De-Metallized Zone’ (DMZ)结构消除了反射耐蚀层,促进了光学效率。

Chipworks技术情报部经理Gary Tomkins先生表示﹕"三星电子这套整合方案十分巧妙,把介电堆迭的图像阵列电介质进行解耦。它容许了外部电路更多金属的应用,保证了更高质素的电晶体整合及系统性能。除此之外,130纳米铜制程允许应用MIM(金属-绝缘体-金属)电容器,以及主动像素感测器(APS)较低的厚度结构,因此改善了在较低图素下的光学性能,为一项杰出技术。"

Chipworks高级技术分析师Dick James先生表示﹕"三星电子于300纳米铜线上组装了此技术,显著降低晶片成本,与此同时,亦改良了较细晶粒的性能。三星电子新一代的崭新制程大有可能赢得更多设计大奖,有趣的是,当成本降低及性能提升,会否吸引其他竞争对手如东芝、Micron、台积公司及联华电子采用此技术,把CIS组装到铜线。"

Chipworks的客户依赖公司的分析报告,提取最尖端的技术情报。他们应用了Chipworks所提供可靠及忠实的资料,为改善自家的设计及制程,同时间保持其竞争优势。

客户即时可电邮至insidetechnology@chipworks.com订购Chipworks Imager Process Review IPR-0604-801。