功率半导体专家国际整流器公司推出全新IRF6607 DirectFET MOSFET，专用于高频同步降压转换器中的同步MOSFET开关应用。
降压转换器采用一对IRF6607 DirectFET MOSFET，可在2MHz频率下提供每相30A的电流，效率高达77%，电流输出是业内最佳的SO-8封装MOSFET的两倍。高频降压转换器用于G赫英特尔和AMD微处理器，适用于笔记本电脑、高端台式电脑和服务器。
新一代微处理器以接近1V的电压及不断上升的频率工作。电流要求迅速递增，急需配合快速的瞬态反应。自1999年起，瞬态反应由每微秒20A逐渐增至每微秒325A，到明年有望增至每微秒400A。为应付这些挑战及缩减所需大型电容器组的体积，降压转换器必须在1至2MHz的频率范围内工作。
全新的30V IRF6607器件采用业界首个双面冷却SMT封装，可在SO-8占位上大大降低传导和开关损耗。
IRF6607利用DirectFET封装极低的无芯片封装电阻特性，使导通电阻低至2.7毫欧，是SO-8占位中最低的导通电阻。该器件的栅电荷和栅漏电荷较低，封装电感比SO-8封装MOSFET低70%，因此可在兆赫频率范围内保持低开关损耗。
DirectFET封装较高的导热性易于降低功耗。其散热器可从封装顶部散热，有助减小每个MOSFET四周的印刷电路板面积，缩小电路尺寸和印刷电路板走线电感，从而减少不必要的开关损耗。DirectFET器件具有较低的功耗和较高的导热性，只需两个DirectFET MOSFET便可在2MHz下提供每相30A的电流。
IR中国及香港销售总监严国富先生表示：“直流-直流转换器频率已到达新的水平，因此需要引入新的技术。DirectFET MOSFET为高频操作确立了全新的效率和功率密度基准，为设计员提供独特的分立式方案，以极少的元件数量和很紧凑的占位实现快速瞬态反应。”
降压转换器采用一对IRF6607 DirectFET MOSFET，可在2MHz频率下提供每相30A的电流，效率高达77%，电流输出是业内最佳的SO-8封装MOSFET的两倍。高频降压转换器用于G赫英特尔和AMD微处理器，适用于笔记本电脑、高端台式电脑和服务器。
新一代微处理器以接近1V的电压及不断上升的频率工作。电流要求迅速递增，急需配合快速的瞬态反应。自1999年起，瞬态反应由每微秒20A逐渐增至每微秒325A，到明年有望增至每微秒400A。为应付这些挑战及缩减所需大型电容器组的体积，降压转换器必须在1至2MHz的频率范围内工作。
全新的30V IRF6607器件采用业界首个双面冷却SMT封装，可在SO-8占位上大大降低传导和开关损耗。
IRF6607利用DirectFET封装极低的无芯片封装电阻特性，使导通电阻低至2.7毫欧，是SO-8占位中最低的导通电阻。该器件的栅电荷和栅漏电荷较低，封装电感比SO-8封装MOSFET低70%，因此可在兆赫频率范围内保持低开关损耗。
DirectFET封装较高的导热性易于降低功耗。其散热器可从封装顶部散热，有助减小每个MOSFET四周的印刷电路板面积，缩小电路尺寸和印刷电路板走线电感，从而减少不必要的开关损耗。DirectFET器件具有较低的功耗和较高的导热性，只需两个DirectFET MOSFET便可在2MHz下提供每相30A的电流。
IR中国及香港销售总监严国富先生表示：“直流-直流转换器频率已到达新的水平，因此需要引入新的技术。DirectFET MOSFET为高频操作确立了全新的效率和功率密度基准，为设计员提供独特的分立式方案，以极少的元件数量和很紧凑的占位实现快速瞬态反应。”
