功率半导体及管理方案厂商国际整流器公司（International Rectifier，简称IR），推出全新的IRF6607 DirectFET MOSFET，可用于高频同步降压转换器中的同步MOSFET开关应用系统。
降压转换器只需装上一对IRF6607 DirectFET MOSFET，便可在2MHz频率下提供每相位30A的电流，效率高达77%，电流输出更为业内最佳的SO-8封装MOSFET的2倍。高频降压转换器可驱动Gigahertz级Intel和AMD微处理器，适用于笔记型计算机、高阶桌上型计算机和服务器。
新一代微处理器以接近1V电压操作，频率不断上升；加上电流要求迅速递增，急需配合快速的瞬时响应。自1999年起，瞬变反应由每微秒20A逐渐增加至每微秒325A，到明年可望进一步增至每微秒400A。为应付这些挑战及缩减所需大型电容器组的体积，降压转换器必须在1至2MHz的频率范围内操作。
全新的30V IRF6607组件采用业界首创的双面冷却SMT封装，可在SO-8面积上大大改善传导和开关损耗。IRF6607善用了DirectFET封装极低的无芯片封装电阻特性，导通电阻低至2.7mOhm，为现有SO-8面积中最低的导通电阻。此外，该组件的栅电荷和栅漏电荷极低，封装电感较SO-8封装MOSFET低70%，因此可在Megahertz频率范围内保持低开关损耗。
DirectFET封装导热性高，功率易于散失。其散热设计可从封装顶部散热，有助缩减每个MOSFET四周的印刷电路板面积，从而减低电路尺寸和印刷电路板的线迹电感，减少不必要的开关损耗。DirectFET组件的功率耗散低、导热性高，只需2个DirectFET MOSFET便可在2MHz下提供每相30A的电流。
IR DC-DC部门计算机市场资深行销经理Carl Blake表示：「DC-DC转换器频率已到达新的水准，必须引入新的配合策略。DirectFET MOSFET为高频操作确立了全新的效率和功率密度基准，为设计人员带来独特的离散式方案，以极低组件数量和极小巧的面积实现快速瞬时响应。
降压转换器只需装上一对IRF6607 DirectFET MOSFET，便可在2MHz频率下提供每相位30A的电流，效率高达77%，电流输出更为业内最佳的SO-8封装MOSFET的2倍。高频降压转换器可驱动Gigahertz级Intel和AMD微处理器，适用于笔记型计算机、高阶桌上型计算机和服务器。
新一代微处理器以接近1V电压操作，频率不断上升；加上电流要求迅速递增，急需配合快速的瞬时响应。自1999年起，瞬变反应由每微秒20A逐渐增加至每微秒325A，到明年可望进一步增至每微秒400A。为应付这些挑战及缩减所需大型电容器组的体积，降压转换器必须在1至2MHz的频率范围内操作。
全新的30V IRF6607组件采用业界首创的双面冷却SMT封装，可在SO-8面积上大大改善传导和开关损耗。IRF6607善用了DirectFET封装极低的无芯片封装电阻特性，导通电阻低至2.7mOhm，为现有SO-8面积中最低的导通电阻。此外，该组件的栅电荷和栅漏电荷极低，封装电感较SO-8封装MOSFET低70%，因此可在Megahertz频率范围内保持低开关损耗。
DirectFET封装导热性高，功率易于散失。其散热设计可从封装顶部散热，有助缩减每个MOSFET四周的印刷电路板面积，从而减低电路尺寸和印刷电路板的线迹电感，减少不必要的开关损耗。DirectFET组件的功率耗散低、导热性高，只需2个DirectFET MOSFET便可在2MHz下提供每相30A的电流。
IR DC-DC部门计算机市场资深行销经理Carl Blake表示：「DC-DC转换器频率已到达新的水准，必须引入新的配合策略。DirectFET MOSFET为高频操作确立了全新的效率和功率密度基准，为设计人员带来独特的离散式方案，以极低组件数量和极小巧的面积实现快速瞬时响应。
