全球功率半导体和管理方案领导厂商——国际整流器公司（International Rectifier，简称IR）近日推出全新30V同步降压式转换器芯片组，其中包括IRF6631控制MOSFET和IRF6638同步MOSFET。该芯片组采用双面冷却的IR基准DirectFET ®封装和最新的HEXFET MOSFET技术，可以在中电流水平（低于18安培）实现更高的效率和散热表现。其应用包括先进笔记本电脑、台式电脑、电信和数据通信，以及需要细小、高效及更好的导热效果来提高功率密度的通用同步降压式设计。
IR中国销售总监严国富指出：“全新的DirectFET芯片组是设计人员所需应用于中功率水平之细小，快捷开关，及15至18安培功率转换器的最佳选择。它们不仅能在5至8安培应用上提高超过百分之一的效率，还比采用3颗SO-8器件的典型方法节省了百分之五十的占板面积。”
该芯片组的每个器件都是为了使同步DC－DC降压式转换器电路实现最佳性能而设计的。IRF6631 DirectFET控制MOSFET可降低开关损耗，而IRF6638 DirectFET同步MOSFET则能减少传导损耗及反向恢复电荷。
IRF6631控制FET的栅极电荷为12nC，电阻栅极电荷（99.6 mohmsnC）优值系数比先前的产品减少了16%。IRF6638 DirectFET同步FET在4.5V时可提供3.0mohm的典型导通电阻，在保持同一栅极电荷时，比现有的器件减少了12%。
IR获得专利的DirectFET MOSFET封装体现了以往标准塑料分立封装没有具备的一系列设计优点。金属罐构造可以实现双面冷却，使先进微处理器供电的高频DC-DC降压式转换器的电流处理能力提升了一倍。此外，采用DirectFET封装的器件均符合有害物质限制（RoHS）规定。
IRF6631和IRF6638 DirectFET MOSFET现已供货，产品基本规格如下：
产品编号 封装 BVDSS (V) 10V以下最大 RDS(on) (mΩ) 4.5V以下最大 RDS(on) (mΩ) VGS (V) 在25ºC 的ID (A) 典型QG (nC) 典型QGD (nC)
IRF6638
DirectFET
Medium Can 30 2.9 3.9 20 140 30 11
IRF6631
DirectFET
Small Can 30 7.8 10.8 20 57 12 4.4
