世界各地有为数众多的计算机，其所消耗的能量十分惊人。支撑因特网运作的数据中心就是一大耗能实例。在美国，单单是服务器所消耗的能量就占全国总能耗的1.2%之多。另外，在2005年，全球服务器及其相关基础设施的电能支出就超过了70亿美元，相当于14座1,000MW发电厂的发电量。
而与功率转换的调节与分配以及环境控制(如空调)有关的浪费，也使能源使用问题更加复杂。在一个典型的数据中心设施中，其实计算功能只用到不到一半的功耗。所以数据中心营运商千方百计寻找机会来提高功率转换效率和分配效率，例如藉由高压直流源的分配来减少转换级的数目。
在美国，供电网把大约13,800V的交流电配送到各个小区，最后利用变压器(不对能耗产生显著影响)将电压降为480 Vac。而每个数据中心都几乎都备有一个UPS(不间断电源)，一般是双转换(double-conversion)在线(on-line )UPS，它可以经由被整流的AC供电骨干或电池连续产生新的无干扰正弦波输出，故没有中断开关。可是，这个功率调节级的效率可能只有70%。
在服务器机架上，208V的交流电压被转换为12V或48V的直流电压，并降压至处理器、硬盘驱动器和内存所需的总线电压。不论是双转换UPS还是开关模式AC/DC转换器，都能够享受到高性能半导体部件所带来的效益，如用于整流、电池充电及DC/AC 逆转换的IGBT和超接面(super-junction)功率 MOSFET。
以机架中插满每片皆具有两个处理器电路板的服务器机架为例，假设转换效率为90%，若功耗为5 KW，则会浪费500W的能量。高性能低压MOSFET具有更低的导通阻抗和更低的开关损耗，能够提高这些转换级的效率。在最近10年里，VR效率已提高5%以上，额定输出电流增加了5倍。
上一代降压转换器采用萧特基二极管和60V额定电压的功率MOSFET，效率为80%～85%；而现在使用功率MOSFET产品，即使处理器输入电压下降，也能够获得90%以上的效率。
先进的低压功率MOSFET降低损耗
在20世纪90年代中期以前，因为传导损耗(I2R)仍是总功耗中的主要成分，低压功率MOSFET的开发焦点一直放在RDS(ON)上。随着开关频率的上升，研究人员开始逐渐关注闸极电容和闸极电荷。图2所示为功率MOSFET质量因子(归一化 RSP 和RSP·QGD)的变化趋势。在过去14年间，这些参数减小了近10倍。
业界已开发出数种能够降低导通阻抗和闸极电荷的新技术，其中一种技术就是在闸极沟槽底部采用一层加厚的氧化层(图3)。这种方案不仅有助于降低闸漏电容(CGD)，还能改善漂移区的阻抗。它也有利于将导通阻抗和闸极电荷去耦(decouple)，因为现在可以一方面经由薄闸极氧化层来获得更低的Vth(临界值电压)以及更低的导通阻抗，同时又可以在沟槽底部采用加厚氧化层以获得最低的CGD。
还有一种技术就是采用电荷平衡或超接面部件结构。它最初是针对高压部件所开发的，现在也可用于低压部件。利用电荷平衡方案，可以在漂移区获得两维的(two-dimensional)电荷耦合，因而能够在漂移区采用更高的掺杂浓度，最终降低漂移阻抗。快捷半导体借着采用第四个电极、屏蔽以及加厚氧化层，实现了这种概念，如图4所示。
其它参数现在也变得更具相关性，例如体二极管(body diode)反向恢复、内部闸极阻抗，以及MOSFET的输出电荷(QOSS)。低压MOSFET产品现在开始针对二极管反向恢复以及输出电容的最小化而优化。在开关频率和输出电流较高时，这些损耗部件的重要性便更为明显。
封装阻抗、电感及其热特性也对功耗有着重大的影响，随着目前部件尺寸越来越小，以及组合封装解决方案在应用中开始逐渐流行，这一点便尤其显著。
在DC-DC转换器应用中，重负载条件下，因传导损耗，效率主要由导通阻抗决定；而在轻负载条件下，则控制效率的主要因素是闸极电荷、反向恢复电荷和输出电容。图5显示了不同输出负载条件下，各个部件的相对功耗。
最近几年来，功率转换半导体解决方案的开发速度已加快。2010年推出的部件的效率增益，特别是轻载条件下的效率增益，预计将有大幅地提升(图6)。
先进的高压部件降低AC/DC级的功耗
具有PFC的开关模式电源通常被运用在数据中心，而现在也常见于电信电源和白色家电，以执行第一级功率转换。功率因子校正电路历来都是采用整合了功率开关(MOSFET 或 IGBT)和升压二极管的升压转换器拓扑。不过，由于引入了软恢复二极管(如快捷半导体的Hyperfast Stealth)，可以省去或简化缓冲电路，升压转换器可采用硬开关模式来实现。通过Stealth二极管或SiC萧特基二极管与SupreMOS?等新超接面技术的结合，设计人员能够获得更低的传导损耗和开关损耗，并简化闸极驱动，减少EMI。
利用PFC不仅可以确保部件符合EN61000-3-2等规范标准，减少部件上的应力，从而减少谐波成分，增强可靠性；还能够藉由增大电源的最大功率来提高转换效率。
AC/DC级的大多数大功率主动PFC设计都整合了一个连续电流模式(CCM)升压转换器拓扑，因为这种结构十分简单，并且具有很宽的AC输入电压范围。另一种PFC工作模式，临界导通模式(BCM)，则用于低功率级。CCM升压转换器(如图1所示)会采用硬开关模式控制升压二极管和开关部件，但是硬开关的缺点是二极管的反向恢复特性会增加开关部件的导通损耗，并产生EMI。
二极管的反向恢复特性决定了它如何从正向传导状态转换到反向电压阻断状态。如果反向恢复电流过于突然地从IRRM(最大反向恢复电流)返回到零，就会产生电压突波(spike)和严重的EMI。电路设计人员会经由降低开关的导通di/dt，或者是增加缓冲电路(snubber circuit) 来降低这种效应。在使用以前的二极管技术的年代，设计人员只能采用一个软二极管或快速二极管。不过，以往软二极管技术的IRRM值很大，在二极管trr(反向恢复时间)期间会产生很大的导通损耗；同时，降低开关导通速度也会增加开关导通损耗。而增添缓冲电路又会增加成本和复杂性，并降低可靠性。除此之外，因为基本RC方案中缓冲电阻的功耗很大，使缓冲电路还常常牵涉到复杂的能量恢复方案。为解决这个问题，可采用一个Stealth II二极管来减少导通损耗。MOSFET超接面技术能够极大地降低导通阻抗RDS(ON)，从而降低传导损耗；而且超接面部件的速度非常快，可大幅地降低关断损耗。只要采用像SupreMOS 和 Stealth-II二极管这样的新技术，就能够使软开关PFC实现最大的效率。
