瑞萨科技公司宣布开发出LFPAK-I（无损耗封装－倒装型）上表面散热型封装，作为新的功率MOSFET封装形式，它通过使用顶面安装热沉大大提高了散热特性，通过使用上表面散热结构提高了电流能力。作为初始阶段产品，现在正发布3种服务器DC-DC电源稳压器(VR)功率MOSFET：HAT2165N、HAT2166N和HAT2168N，从2004年7月开始，将在日本开始样品发货。
这种新封装的特性总结如下:
(1)与瑞萨科技先前的封装相比，安装散热热阻值减小了40%，电流容量大约提高了30%。
LFPAK-I使用一种管芯散热管座暴露在封装上表面的结构，与瑞萨科技目前的通过印刷线路板散热的LFPAK封装形式相比，LFPAK-I的热沉安装在顶部（使用强制空气冷却时），热饱和状态下的安装热阻值大约减小了40%，从25ºC/W降低到15ºC/W。因此，与LFPAK相比，电流大约提高了30%，可以使服务器稳压器更加小巧。
(2)与SOP-8兼容
LFPAK-I的电极排列和管脚面积与业界标准的SOP-8封装相同，使得相同的系统设计和安装可以用在SOP-8中。
典型应用:
•服务器DC-DC变换器（稳压器）
•开关式电源二次侧（低压输出Vout = 3.3 V或更低）同步整流。
这种新封装的特性总结如下:
(1)与瑞萨科技先前的封装相比，安装散热热阻值减小了40%，电流容量大约提高了30%。
LFPAK-I使用一种管芯散热管座暴露在封装上表面的结构，与瑞萨科技目前的通过印刷线路板散热的LFPAK封装形式相比，LFPAK-I的热沉安装在顶部（使用强制空气冷却时），热饱和状态下的安装热阻值大约减小了40%，从25ºC/W降低到15ºC/W。因此，与LFPAK相比，电流大约提高了30%，可以使服务器稳压器更加小巧。
(2)与SOP-8兼容
LFPAK-I的电极排列和管脚面积与业界标准的SOP-8封装相同，使得相同的系统设计和安装可以用在SOP-8中。
典型应用:
•服务器DC-DC变换器（稳压器）
•开关式电源二次侧（低压输出Vout = 3.3 V或更低）同步整流。
