MicronTechnology提供新款单面DDR3DRAM模块样品TEConnectivity推出与单面DDR3模块兼

本文作者:MicronTechnology       点击: 2013-02-08 00:00
前言:

世界领先的先进半导体解决方案供应商之一MicronTechnology,Inc.(纳斯达克股票代码:MU)和世界领先的连接器供应商TEConnectivity(TE)(纽约证券交易所股票代码:TEL)今日宣布单面SODIMM和小尺寸单面、双倍数据传输率3(DDR3)SODIMM连接器解决方案开始供货,以抓住迅速发展的超极本Ultrabook(TM)设备、可折叠设备、平板电脑和其他轻型薄型设备的新兴市场。该新款单面SODIMM由Micron开发,在主板的正面或背面放置有元件(但不会同时在两面置放),旨在向超薄计算市场提供薄型存储解决方案。在与TE的单面DDR3SODIMM连接器配合使用时,整个解决方案从主板向上的总z轴高度仅仅为3毫米,比标准SODIMM解决方案的4.6毫米节省了35%的空间。
Micron目前供货的单面SODIMM容量为4GB,单行排列,且为x8配置。除了高度降低之外,这新的模块还采用了30纳米DDR3L-RS元件,该元件在待机时的功耗比标准DDR3还低。此外,该单面SODIMM的每只管脚均与当前的DDR3模块兼容,这使其可与现有的DDR3SODIMM连接器后向兼容。
“由于目前超薄设备市场的深度和广度,结合用户对优雅、轻型设计的要求,Micron的目标是提供能满足便携性、电池寿命和专业能源需求的解决方案”,Micron计算设备业务开发总监KrisKido说道。“Micron单面SODIMM独特的外形尺寸可满足这些需求,并将在这个日益增长的领域中引领未来发展的方向”。
TE的工程师们已设计了新款单面DDR3SODIMM连接器以便为高速数据应用提供卓越的性能。该连接器的主要特点是:与类似的薄型连接器相比,高度降低了35%。这使得最终产品的高度降低了5-10%。也使主板阴影面积减少了156平方毫米,对常见的双插槽器件而言,则减少了312平方毫米的面积。该DDR3SODIMM连接器可接纳符合JEDECMO268行业标准的模块,并提供标准类型和反向类型。
“很明显,我们所看到薄型设备,从超极本Ultrabook(TM)设备到平板电脑,变得越来越薄、越来越优雅”,TE消费设备产品经理HookChang说道。“在过去,存储设备电路的小型化通常以牺牲可靠性为代价。我们的DDR3SODIMM连接器解决了这个问题,可确保耐久的连接以优化设备的功能性、速度和可用性。MicronTechnology和我们共同承诺,向客户提供优质可靠、高性价比的解决方案以使产品性能最佳化”。
产品提供
Micron现在可提供单面SODIMM器件的样品,计划2013年春季进行批量生产。TEConnectivity现在可提供单面SODIMM连接器的样品,计划2013年6月进行批量生产。
Micron超薄存储器:拥抱未来
Micron以全球视角的眼光审视移动计算设备市场,将自己的产品恰当地定位于支持超薄应用的增长。我们品种齐全的各类产品,包括业界领先的DRAM、固态硬盘和NOR闪存盘,使高性能超薄型计算设备在弹指一挥间便开始火爆功能。采用了Micron的存储器和存储解决方案,功能强大、快速响应计算、即开即关、应用程序快速加载、超薄超轻型设计、更长的电池寿命以及电池节能均有可能。
关于Micron
MicronTechnology,Inc.,是全球领先的先进半导体解决方案供应商之一。通过它遍布全球的运营,Micron为先进的计算、用户、网络、嵌入式和移动产品生产和销售全套固态硬盘、DRAM、NAND和NOR闪存,以及其他创新的存储器技术、封装方案和半导体系统。Micron的普通股在纳斯达克上市交易,代码是MU。欲了解有关美光科技公司的更多信息,请访问