世界功率管理技术领袖国际整流器公司（International Rectifier，简称IR）近日推出新型的DirectFET MOSFET同步降压转换器芯片组。新品适用于下一代采用Intel和AMD处理器的高端台式电脑和服务器，以及先进的电信和数据通信系统等高频率、大电流的DC-DC转换器应用。
例如，电流为130A的五相转换器如果采用最新的IRF6619 和IRF6633芯片组，可在一个紧凑的面积上实现85%的效率。
IR中国及香港销售总监严国富指出：“IRF6619 和IRF6633 芯片组能在处理器电源系统的每相位中取代四个标准的D-Pak MOSFET，可以减少一半的元件数量，并为每个相位减少一半以上的占板空间，有效压缩工作站和服务器的体积。”
IRF6619是理想的同步MOSFET，器件的典型导通电阻极低，在10VGS下为1.65mΩ，在4.5VGS下则为2.2mΩ，而逆向恢复电荷可以低至22nC。该器件采用MX中罐DirectFET封装，占板面积与SO-8封装相同，高度只有0.7mm。
IRF6633的栅电荷极低，米勒电荷只有4nC，最适合作为控制用场效应管。与市场上其他20VN器件相比，其导通电阻和栅电荷减少了43%以上。该器件的混合导通电阻与栅电荷性能效益指数为38 mΩ-nC。它采用MP中罐DirectFET封装，占板面积与SO-8封装相同，高度同样只有0.7mm。
IR的DirectFET MOSFET封装已获得专利，它汇集了标准塑料分立封装所不具备的一系列设计优点。金属罐构造能发挥双面冷却功能，使得用以驱动先进微处理器的高频DC-DC降压转换器的电流处理能力增加一倍。
例如，电流为130A的五相转换器如果采用最新的IRF6619 和IRF6633芯片组，可在一个紧凑的面积上实现85%的效率。
IR中国及香港销售总监严国富指出：“IRF6619 和IRF6633 芯片组能在处理器电源系统的每相位中取代四个标准的D-Pak MOSFET，可以减少一半的元件数量，并为每个相位减少一半以上的占板空间，有效压缩工作站和服务器的体积。”
IRF6619是理想的同步MOSFET，器件的典型导通电阻极低，在10VGS下为1.65mΩ，在4.5VGS下则为2.2mΩ，而逆向恢复电荷可以低至22nC。该器件采用MX中罐DirectFET封装，占板面积与SO-8封装相同，高度只有0.7mm。
IRF6633的栅电荷极低，米勒电荷只有4nC，最适合作为控制用场效应管。与市场上其他20VN器件相比，其导通电阻和栅电荷减少了43%以上。该器件的混合导通电阻与栅电荷性能效益指数为38 mΩ-nC。它采用MP中罐DirectFET封装，占板面积与SO-8封装相同，高度同样只有0.7mm。
IR的DirectFET MOSFET封装已获得专利，它汇集了标准塑料分立封装所不具备的一系列设计优点。金属罐构造能发挥双面冷却功能，使得用以驱动先进微处理器的高频DC-DC降压转换器的电流处理能力增加一倍。
