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IR扩充60V StrongIRFET MOSFET系列以标准和高性能功率封装为工业应用提供极低导通电阻

时间:2014-07-07 16:51来源:IR 作者:IR 点击:
2014年7月7日--全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 扩充60V StrongIRFET功率MOSFET系列,采用多种标准和高性能功率封装。全新MOSFET适用于要求极低导通电阻 (RDS(on)) 的工业应用,包括电动工具、轻型电动车 (LEV) 逆变器、直流电机驱动器、锂离子电池组保护和开关模式电源 (SMPS) 二次侧同步整流应用等。
 

 
经过扩充的60V StrongIRFET系列提供穿孔式封装和表面贴装封装,其中IRF7580M器件采用超精密的中罐式 (ME) DirectFET封装,可提供大电流密度,有效缩减整体系统尺寸并降低成本,适用于空间受限的大功率工业设计。
 
全新60V StrongIRFET功率MOSFET系列共有19款器件,均配有可提升低频率应用性能的极低导通电阻、极高的载流能力、软体二极管和有助于提高噪声免疫力的3V典型阀值电压。该系列的每款器件都完全通过业界最高雪崩电流级别的雪崩测试,能够为要求严格的工业应用提供最坚固耐用的解决方案。
 
IR亚太区销售副总裁潘大伟表示:“IR广泛的60V StrongIRFET MOSFET产品系列具有适合工业市场的低导通电阻和大电流能力,并提供多种封装选择,使设计师能够基于性价比标准灵活选择最适合其应用的器件。”
 
 与DirectFET系列的其它器件一样,全新IRF7580M中罐式封装器件提供能改善可靠性的无键合线设计。DirectFET封装符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 的所有要求,例如提供完全不含铅的物料清单,因此非常适合长生命周期的设计。而其它同类高性能封装则采用含铅的裸片贴装,虽然符合电子产品有害物质管制规定第7(a) 项豁免条款,但这项豁免将于2016年到期。

规格  
采用表面贴装封装的60V StrongIRFET

器件编号

BVDSS

25ºC时的ID

VGS10V时的最大导通电阻

VGS10V时的Qg

封装

IRF7580M

60V

116A

3.6

120

中罐式(ME) DirectFET

IRFS7530-7P

240A

1.4

256

D2-PAK-7

IRFS7534-7P

240A

1.9

200

D2-PAK-7

IRFS7530

195A

2.0

274

D2-PAK

IRFS7534

195A

2.4

180

D2-PAK

IRFH7085

100A

3.2

110

PQFN 5x6 (B)

IRFR7540

110A

4.8

85

D-PAK

IRFS7537

195A

3.3

142

D2-PAK

IRFS7540

110A

5.1

88

D2-PAK

IRFH7545

85A

5.2

73

PQFN 5x6 (E)

IRFR7546

71A

7.9

58

D-PAK

采用穿孔式封装的60V StrongIRFET

器件编号

BVDSS

25ºC时的ID

VGS10V时的最大导通电阻

VGS10V时的Qg

封装

IRFB7530

60V

 

195A

2.0

274

TO-220

IRFP7530

2.0

274

TO-247

IRFB7534

2.4

186

TO220

IRFB7537

3.3

142

TO-220

IRFP7537

3.3

142

TO-247

IRFB7540

110A

5.1

88

TO-220

IRFB7545

85A

5.9

75

IRFB7546

58A

7.3

58

 
产品现正接受批量订单。相关数据和SPICE模型,请浏览IR的网站http://www.irf.com
 
IR简介
国际整流器公司 (简称 IR,纽约证交所代号 IRF) 是全球功率半导体和管理方案领导厂商。IR 的模拟及混合信号集成电路、先进电路器件、集成功率系统和器件广泛应用于驱动高性能计算设备及降低电机的能耗 (电机是全球最大耗能设备) ,是众多国际知名厂商开发下一代计算机、节能电器、照明设备、汽车、卫星系统、宇航及国防系统的电源管理基准。
 
IR 成立于 1947 年,总部设在美国洛杉矶,在二十个国家设有办事处。IR 全球网站:www.irf.com,中国网站:www.irf.com.cn

 

(责任编辑:jane)
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