飞兆半导体Izak Bencuya博士将在PCIM China 2006展会上发表主题演讲

全球领先的高性能系统功率优化产品供应商飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 功能性功率部执行副总裁兼总经理Izak Bencuya博士，将在2006年3月21日于上海举行的 PCIM China 2006 会议上发表主题演讲。Bencuya博士将重点探讨，在以更小封装实现更高性能的应用需求之推动下，功率设计领域的发展趋势。PCIM China 2006 于3月21日至3月23日举行，为期三天。 

Bencuya博士将分析推动着集成更多功率功能之设计的市场力量。此外，他还将着重介绍现今一些先进方案，既有利于子系统优化，并使应用能够达到前所未有的性能，而又无需冗长的设计和验证工作。

PCIM China 是中国电子业的重要活动，支持功率电子行业的发展。飞兆半导体在中国地区部署了大量设计、制造、封装以及测试力量。每年一度的 PCIM China展览会至今已经举行了 5届，届时全球业界专家将云集上海，竞相呈现最新的应用成果和产品。
 


此外，飞兆半导体有多位技术专家也将在本次会议上发表以下论文：

•“并行MOSFET中电流失配引起之寄生电感的影响”－ 演说者：Alan Elbanhawy
长期以来，MOSFET一直成功地并行采用于VRM 应用的同步降压 (synchronous buck) 转换器中。目前，随着应用的每相位安培数可高达 40，设计工程师必须特别关注PCB布局，使由布局所造成与并行MOSFET相关的寄生电感降至最小，从而避免最终可能导致电源故障的均流 (current sharing) 和散热的不均衡。

•“传统和超连接 (Super Junction) MOSFET体二极管的反向恢复评估” － 演说者：Praveen Shenoy
SMPS、镇流器和白色电器应用都需要具有良好体二极管特性的MOSFET，来降低导通损耗。此外，该体二极管应该能够处理很高的di/dt 和 dv/dt。反向恢复测试的数据显示，竞争产品SJ MOSFET 体二极管在 di/dt  仅为 100A/us 时便告失效；而SuperFETTM　器件却则几乎是无法破坏的，当 di/dt 大于 1000A/us时也能工作裕如。

在飞兆半导体不断推出用于消费、通信、工业、计算和汽车市场的高度集成产品的努力中，其全球功率资源中心起着不可或缺的作用。这些中心分布在全球各地，由系统设计专家负责，并与客户密切合作以优化和开发创新性设计，其中有三家位于中国。此外，飞兆半导体已将资源在网上进行整合，融合了设计、选择和教育工具 (www.fairchildsemi.com/designcenter) ，以帮助客户轻易实现其设计的功率优化。

要了解有关2006年飞兆半导体公司参与业界活动的全部信息，请访问www.fairchildsemi.com/tradeshow。