安森美半导体拓展功率MOSFET产品系列,推出18款新计算器件

本文作者:admin       点击: 2006-08-15 00:00
前言:
全球领先的电源管理解决方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor)推出18款优化直流-直流转换并降低临界电流水平功耗的新型功率MOSFET器件。这些功率MOSFET适用于计算应用中的CPU/GPU供电,直流-直流转换及高低端开关,如台式机、笔记本电脑和服务器中。

这些新型的30V,35A~191A的器件是单个N-沟道MOSFET提供较低RDS(on)以尽量降低功耗。器件的门极电荷和门极电荷比也小,降低导电和开关损耗,使电源效率更高。

安森美半导体PowerFET部副总裁David Garafano说:“为了帮助我们的客户满足特定应用的需要,安森美半导体一直在拓展PowerFET产品系列,以提供业内品种最多的MOSFET。因为安森美半导体有多种生产这些新型MOSFET器件的制造资源,所以我们可以有效地处理突发的需求变化并进一步确保准时供货。”

其中8款新型功率MOSFET器件采用DPAK封装,而每10,000片的批量预算单价在0.40~0.87美元之间。

 器件         VDS      ID Rdson @ 10 V    Qg(典型)
• NTD4804N   30 V   117 A     4 mΩ    30 nC 
• NTD4805N   30 V  88 A     5 mΩ      20.5 nC
• NTD4806N   30 V  76 A      6 mΩ       15 nC
•  NTD4808N    30 V  63 A      8 mΩ     11.3 nC
•  NTD4809N    30 V  58 A      9 mΩ     10.7 nC
•  NTD4810N    30 V  54 A     10 mΩ        9 nC
•  NTD4813N    30 V  40 A     13 mΩ      6.9 nC
•  NTD4815N    30 V  35 A     15 mΩ        6 nC

其他10款新型功率MOSFET 器件采用SO-8平引脚封装-带外露引脚框于背面使散热更佳。这些器件的每10,000片的批量预算单价在0.71~0.91美元之间。
  
器件         VDS      ID Rdson @ 10 V    Qg(典型)
•  NTMFS4833N   30 V 191 A    2 mΩ    39 nC
•  NTMFS4834N   30 V 130 A    3 mΩ      33 nC
•  NTMFS4835N   30 V 104 A   3.5 mΩ           25 nC
•  NTMFS4836N   30 V  90 A    4 mΩ     19.1 nC
•  NTMFS4837N   30 V 74 A    5 mΩ  14.2 nC
•  NTMFS4839N   30 V 66 A     6 mΩ    12 nC
•  NTMFS4841N   30 V 57 A    7 mΩ  11.9 nC
•  NTMFS4741N   30 V 67 A       8 mΩ    15 nC    
•  NTMFS4744N   30 V 53 A      10 mΩ    10 nC
•  NTMFS4747N   30 V 44 A   13 mΩ    12 nC

更多关于安森美提供的所有功率MOSFET器件的信息,请访问http://www.onsemi.com.cn 或联系Kathleen Van Tyne (电邮地址: k.vantyne@onsemi.com)。