全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出坚固可靠的全新1200V超高速绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 系列，针对工业电机驱动及不间断电源 (UPS) 应用进行了优化。
全新器件采用IR的场截止沟道超薄晶圆技术，可减少传导和开关损耗。该器件具有10us最小短路时间额定值，与具有低反向恢复电荷 (Qrr) 的软恢复二极管共同封装，为坚固的工业应用做出了有效优化。
IR亚太区销售副总裁潘大伟表示：“全新1200V沟道IGBT具有极低的Vce(on) 和低开关损耗，并带来更高的系统效率及稳固的瞬态效能，从而提高可靠性，使其非常适合恶劣的工业环境。”
这些经过封装的器件适用于从10A到50A的宽泛的电流范围。其他主要性能优势包括高达150°C 的Tjmax、有助于并联的正VCE(on) 温度系数，以及能够降低功耗和提升功率密度的低VCE(on)。新器件还可提供裸片形式。
规格
采用封装形式
器件编号 封装 VCES IC (标称) Vceon Tsc (最小)
IRG7PH30K10D TO-247AC 1200 V 10 A 2.0 V 10us
IRG7PH30K10D-E TO247AD 长引线 1200 V 10 A 2.0 V 10us
IRG7PH37K10D TO-247AC 1200 V 15 A 1.9 V 10us
IRG7PH37K10D-E TO247AD长引线 1200 V 15 A 1.9 V 10us
IRG7PH44K10D TO-247AC 1200 V 25 A 1.9 V 10us
IRG7PH44K10D-E TO247AD长引线 1200 V 25 A 1.9 V 10us
IRG7PH50K10D TO-247AC 1200 V 40 A 1.9 V 10us
IRG7PH50KD-E TO247AD长引线 1200 V 40 A 1.9 V 10us
IRG7PSH54K10D Super TO-247 1200 V 50 A 1.9 V 10us
采用裸片形式
器件编号 VCES IC (标称) Vceon Tsc (最小)
IRG7CH30K10B 1200 V 9 A 2.0 V 10us
IRG7CH37K10B 1200 V 15 A 1.9 V 10us
IRG7CH44K10B 1200 V 25 A 1.9 V 10us
IRG7CH50K10B 1200 V 35 A 1.9 V 10us
IRG7CH54K10B0-R 1200 V 50 A 1.9 V 10us
IRG7CH73K10B-R 1200 V 75 A 1.9 V 10us
IRG7CH75K10B-R 1200 V 100 A 1.9 V 10us
IRG7CH81K10B-R 1200 V 150 A 1.9 V 10us
相关产品现正接受批量订单。新器件符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS)。如需数据资料及IGBT产品选型工具，请浏览 IR的网站 www.irf.com。通过 http://mypower.irf.com/IGBT/ 可直接获取产品选型工具。
IR简介
国际整流器公司 (简称 IR，纽约证交所代号 IRF) 是全球功率半导体和管理方案领导厂商。IR 的模拟及混合信号集成电路、先进电路器件、集成功率系统和器件广泛应用于驱动高性能计算设备及降低电机的能耗 (电机是全球最大耗能设备) ，是众多国际知名厂商开发下一代计算机、节能电器、照明设备、汽车、卫星系统、宇航及国防系统的电源管理基准。
IR 成立于 1947 年，总部设在美国洛杉矶，在二十个国家设有办事处。IR 全球网站：www.irf.com，中国网站：www.irf.com.cn。
商标
IR® 是国际整流器公司的商标。文中所提及其它产品名称均为对应持有人所有的商标。
