安森美半导体宣布一个新系列集成控制器的面世，推出了NCP5210 和 NCP5209，为计算机行业继续提供创新的电源管理解决方案。这些器件为管理DDR1/DDR2存储严格的电源要求和下一代芯片组更高的电源需求而设计。
NCP5210将VDDQ电源和MCH磁心电压电源的两个脉宽调制（PWM）降压转换器与VTT端头电压的2.1安培（A）源-汇线性电源稳压器相结合。此外，该器件提供多重保护功能，包括软启动线路、转换输入电压的欠压监测、热停机以及过流保护。过流保护可防止由于存储模块的不正确插放损坏DDR存储。
NCP5209结合了一个用于所有DDR存储VDDQ的PWM降压转换器、一个VTT线性源-汇稳压器和一个MCH二步进线性方案。它是DDR2主板经济高效的解决方案。
NCP5210和NCP5209采用小巧的QFN-20封装。现已提供选择样品和评估板。这些器件定于第四季度投入生产。该集成控制器系列的其他器件将提供不同规格，具有更大灵活性，令计算机主板设计人员可以成本和性能为其系统选择最佳的集成等级。
全面解决方案
NCP5210与NTD60N02R MOSFET结合使用，为下一代芯片组和DDR存储提供完整、可刻度的电源方案。NTD60N02R的低临界电压具有低门-驱动电压较佳的良好传导特性。
安森美半导体为下一代Intel-架构计算机产品推出完整电源解决方案
安森美半导体为下一代主板推出周全的电源解决方案，扩展了计算机产品系列，包括下一代芯片组与存储器中的所有关键元件，这些元件是实现简洁及可刻度的电力传送系统的必需品。
安森美半导体现为下一代架构提供的总包解决方案和完整的参考设计，是专为解决复杂的电源设计挑战而设计的，这些挑战来自新的工艺技术、更快的时钟速度和更高的电流要求。当安森美半导体的高度集成电源控制器、最先进的VRM 10.1控制器、高性能门驱动器和针对计算机的MOSFET一起使用时，能提供最新工艺技术所要求的更低电压电平、更严格容差和更高电流要求。
安森美半导体的新型高集成NCP5210控制器与NTD60N02R MOSFET为下一代计算机芯片组和DDR存储提供全方位、可刻度的电源解决方案。NCP5210将VDDQ电源和MCH磁心电压电源的两个脉宽调制（PWM）降压转换器与VTT端头电压的2.1安培（A）源-汇线性电源稳压器相结合。NTD60N02R的低临界电压具有低门-驱动电压的良好传导特性。
安森美半导体支持下一代芯片组与处理器的CPU或Vcore主处理器电源解决方案包括VRM 10.X 控制器的NCP5314系列。与NCP5351 或 NCP5355门驱动器以及公司的新型低电压MOSFETS系列结合使用，该解决方案构成一个高性能、高功效、多相的降压稳压器，能满足制造商的降压式电压稳压器（VRD）10.X电源规范。
安森美半导体应用于CPU电源的MOSFET系列包括NTD60N02R 与 NTD110N02R，分别用于高/低端同步整流配置，可获得很高电源转换效率。为此，NTD60N02R具有很低的门控充电，而NTD110N02R具有极低通导电阻。事实上，该低端24伏（V）NTD110N02R在10V电压下Rds(on)典型值为3.7 mohm——为业界Dpak器件最低的Rds(on)额定值之一，并提供业界最佳的效益指数——170 mohm-mC。
NCP5210将VDDQ电源和MCH磁心电压电源的两个脉宽调制（PWM）降压转换器与VTT端头电压的2.1安培（A）源-汇线性电源稳压器相结合。此外，该器件提供多重保护功能，包括软启动线路、转换输入电压的欠压监测、热停机以及过流保护。过流保护可防止由于存储模块的不正确插放损坏DDR存储。
NCP5209结合了一个用于所有DDR存储VDDQ的PWM降压转换器、一个VTT线性源-汇稳压器和一个MCH二步进线性方案。它是DDR2主板经济高效的解决方案。
NCP5210和NCP5209采用小巧的QFN-20封装。现已提供选择样品和评估板。这些器件定于第四季度投入生产。该集成控制器系列的其他器件将提供不同规格，具有更大灵活性，令计算机主板设计人员可以成本和性能为其系统选择最佳的集成等级。
全面解决方案
NCP5210与NTD60N02R MOSFET结合使用，为下一代芯片组和DDR存储提供完整、可刻度的电源方案。NTD60N02R的低临界电压具有低门-驱动电压较佳的良好传导特性。
安森美半导体为下一代Intel-架构计算机产品推出完整电源解决方案
安森美半导体为下一代主板推出周全的电源解决方案，扩展了计算机产品系列，包括下一代芯片组与存储器中的所有关键元件，这些元件是实现简洁及可刻度的电力传送系统的必需品。
安森美半导体现为下一代架构提供的总包解决方案和完整的参考设计，是专为解决复杂的电源设计挑战而设计的，这些挑战来自新的工艺技术、更快的时钟速度和更高的电流要求。当安森美半导体的高度集成电源控制器、最先进的VRM 10.1控制器、高性能门驱动器和针对计算机的MOSFET一起使用时，能提供最新工艺技术所要求的更低电压电平、更严格容差和更高电流要求。
安森美半导体的新型高集成NCP5210控制器与NTD60N02R MOSFET为下一代计算机芯片组和DDR存储提供全方位、可刻度的电源解决方案。NCP5210将VDDQ电源和MCH磁心电压电源的两个脉宽调制（PWM）降压转换器与VTT端头电压的2.1安培（A）源-汇线性电源稳压器相结合。NTD60N02R的低临界电压具有低门-驱动电压的良好传导特性。
安森美半导体支持下一代芯片组与处理器的CPU或Vcore主处理器电源解决方案包括VRM 10.X 控制器的NCP5314系列。与NCP5351 或 NCP5355门驱动器以及公司的新型低电压MOSFETS系列结合使用，该解决方案构成一个高性能、高功效、多相的降压稳压器，能满足制造商的降压式电压稳压器（VRD）10.X电源规范。
安森美半导体应用于CPU电源的MOSFET系列包括NTD60N02R 与 NTD110N02R，分别用于高/低端同步整流配置，可获得很高电源转换效率。为此，NTD60N02R具有很低的门控充电，而NTD110N02R具有极低通导电阻。事实上，该低端24伏（V）NTD110N02R在10V电压下Rds(on)典型值为3.7 mohm——为业界Dpak器件最低的Rds(on)额定值之一，并提供业界最佳的效益指数——170 mohm-mC。
