2013 年 11 月 11 日，北京讯
日前，德州仪器 (TI) 宣布面向智能手机与平板电脑等空间有限手持应用推出业界最小型低导通电阻 MOSFET。该最新系列 FemtoFET™ MOSFET 晶体管采用超小型封装，支持不足 100 毫欧的导通电阻。如欲了解更多详情，订购样片与 SPICE 模型，敬请访问：www.ti.com.cn/femtofet-pr-cn。
三个 N 通道及三个 P 通道 FemtoFET MOSFET 均采用平面栅格阵列 (LGA) 封装，与芯片级封装 (CSP) 相比，其可将板积空间锐减 40%。CSD17381F4 与 CSD25481F4 支持不足 100 毫欧的导通电阻，比目前市场上类似器件低 70%。所有 FemtoFET MOSFET 均提供超过 4000V 的人体模型 (HVM) 静电放电 (ESD) 保护。点击这里观看视频。
部件号 通道 BVdss
(V) Vgs
(V) 典型导通电阻（欧姆） Id（Ta = 25°C 时）
(A)
1.8V 2.5V 4.5V
CSD17381F4 N 30 12 160 110 90 3.1
CSD17483F4 N 30 12 370 240 200 1.5
CSD13381F4 N 12 8 310 170 140 2.1
CSD25481F4 P -20 -12 395 145 90 -2.5
CSD25483F4 P -20 -12 580 338 210 -1.6
CSD23381F4 P -12 -8 480 250 150 -2.3
FemtoFET MOSFET 归属 TI NexFET 功率 MOSFET 产品系列，该系列还包括适用于手机等便携式应用的 CSD25213W10 P 通道器件以及 CSD13303W1015 N 通道器件等。TI 提供 LP5907 大电流低压降 (LDO) 线性稳压器以及 TPS65090 前端电源管理单元 (PMU) 等各种系列的电源管理产品，可为手持应用节省板级空间，降低功耗。
FemtoFET MOSFET 系列的主要特性与优势
不足 100 毫欧的导通电阻比类似器件低 70%，可节省电源，延长电池使用寿命；
FemtoFET 0.6 毫米 × 1.0 毫米 × 0.35 毫米的 LGA 封装比标准 CSP 小 40%；
1.5A 至 3.1A 的持续漏极电流值与当前市场类似尺寸器件相比，可提供超过 2 倍的性能。
供货情况
FemtoFET MOSFET 器件现已开始批量供货，可通过 TI 及其授权分销商进行订购。
了解更多详情：
采用 TI WEBENCH 电源设计工具在线设计完整的电源管理系统；
从 TI PowerLab™ 参考设计库下载电源参考设计。
访问德州仪器在线技术支持社区咨询问题：www.deyisupport.com。
商标
WEBENCH 是德州仪器的注册商标，而 FemtoFET、NexFET以及 PowerLab 则是其商标。所有其它商标均归其各自所有者所有。
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日前，德州仪器 (TI) 宣布面向智能手机与平板电脑等空间有限手持应用推出业界最小型低导通电阻 MOSFET。该最新系列 FemtoFET™ MOSFET 晶体管采用超小型封装，支持不足 100 毫欧的导通电阻。如欲了解更多详情，订购样片与 SPICE 模型，敬请访问：www.ti.com.cn/femtofet-pr-cn。
三个 N 通道及三个 P 通道 FemtoFET MOSFET 均采用平面栅格阵列 (LGA) 封装，与芯片级封装 (CSP) 相比，其可将板积空间锐减 40%。CSD17381F4 与 CSD25481F4 支持不足 100 毫欧的导通电阻，比目前市场上类似器件低 70%。所有 FemtoFET MOSFET 均提供超过 4000V 的人体模型 (HVM) 静电放电 (ESD) 保护。点击这里观看视频。
部件号 通道 BVdss
(V) Vgs
(V) 典型导通电阻（欧姆） Id（Ta = 25°C 时）
(A)
1.8V 2.5V 4.5V
CSD17381F4 N 30 12 160 110 90 3.1
CSD17483F4 N 30 12 370 240 200 1.5
CSD13381F4 N 12 8 310 170 140 2.1
CSD25481F4 P -20 -12 395 145 90 -2.5
CSD25483F4 P -20 -12 580 338 210 -1.6
CSD23381F4 P -12 -8 480 250 150 -2.3
FemtoFET MOSFET 归属 TI NexFET 功率 MOSFET 产品系列，该系列还包括适用于手机等便携式应用的 CSD25213W10 P 通道器件以及 CSD13303W1015 N 通道器件等。TI 提供 LP5907 大电流低压降 (LDO) 线性稳压器以及 TPS65090 前端电源管理单元 (PMU) 等各种系列的电源管理产品，可为手持应用节省板级空间，降低功耗。
FemtoFET MOSFET 系列的主要特性与优势
不足 100 毫欧的导通电阻比类似器件低 70%，可节省电源，延长电池使用寿命；
FemtoFET 0.6 毫米 × 1.0 毫米 × 0.35 毫米的 LGA 封装比标准 CSP 小 40%；
1.5A 至 3.1A 的持续漏极电流值与当前市场类似尺寸器件相比，可提供超过 2 倍的性能。
供货情况
FemtoFET MOSFET 器件现已开始批量供货，可通过 TI 及其授权分销商进行订购。
了解更多详情：
采用 TI WEBENCH 电源设计工具在线设计完整的电源管理系统；
从 TI PowerLab™ 参考设计库下载电源参考设计。
访问德州仪器在线技术支持社区咨询问题：www.deyisupport.com。
商标
WEBENCH 是德州仪器的注册商标，而 FemtoFET、NexFET以及 PowerLab 则是其商标。所有其它商标均归其各自所有者所有。
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关于TI 面向消费类电子的模拟产品
TI 种类繁多的电源管理及模拟信号链产品可为设计工程师创建创新型差异化消费类电子产品提供所需的高性能、低功耗以及高集成度。TI 正通过手势识别、触摸反馈、高级电池充电、音频以及健康技术等构建美好未来。欢迎通过 TI 模拟消费类解决方案了解 TI 模拟产品如何改善我们的生活、工作和娱乐。
TI 种类繁多的电源管理及模拟信号链产品可为设计工程师创建创新型差异化消费类电子产品提供所需的高性能、低功耗以及高集成度。TI 正通过手势识别、触摸反馈、高级电池充电、音频以及健康技术等构建美好未来。欢迎通过 TI 模拟消费类解决方案了解 TI 模拟产品如何改善我们的生活、工作和娱乐。
关于德州仪器公司
德州仪器 (TI) 是一家全球性半导体设计制造公司，始终致力于模拟 IC 及嵌入式处理器开发。TI 拥有全球顶尖人才，锐意创新，塑造技术行业未来。今天，TI 正携手超过 100,000 家客户打造更美好未来。
德州仪器 (TI) 是一家全球性半导体设计制造公司，始终致力于模拟 IC 及嵌入式处理器开发。TI 拥有全球顶尖人才，锐意创新，塑造技术行业未来。今天，TI 正携手超过 100,000 家客户打造更美好未来。
TI 在纳斯达克证交所上市交易，交易代码为 TXN。
TI 半导体产品信息中心免费热线电话：800-820-8682。
