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IR推出IRFHE4250D FastIRFET 6×6 PQFN顶部外露电源模块器件为DC-DC应用提供卓越效率

时间:2014-08-13 14:58来源:国际整流器公司IR 作者:国际整流器公司 点击:
2014年8月13日--国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出IRFHE4250D FastIRFET双功率MOSFET,藉以扩充电源模块组件系列。新款25V器件在25A的电流下能够比其它顶级的传统电源模块产品减少5%以上的功率损耗,适用于12V输入DC-DC同步降压应用,包括先进的电信和网络通讯设备、服务器、显卡、台式电脑、超极本 (Ultrabook) 和笔记本电脑等。

 
IRFHE4250D配备IR新一代硅技术,并采用了适合背面贴装的6×6 PQFN顶部外露纤薄封装,为电源模块带来更多封装选择。这款封装结合了出色的散热性能、低导通电阻 (Rds(on)) 与栅极电荷 (Qg),提供卓越的功率密度和较低的开关损耗,从而缩减电路板尺寸,提升整体系统效率。

IR亚太区销售副总裁潘大伟表示:“高达60A额定值的IRFHE4250D FastIRFET MOSFET是全球首款顶部外露电源模块器件,提供行业领先的功率密度,有效满足要求顶尖效率的高性能DC-DC应用。”

与IR的其它电源模块器件一样,IRFHE4250D可与各种控制器或驱动器共同操作,以提供设计灵活性,同时以小的占位面积实现更高的电流、效率和频率,还为IR电源模块带来全新的6×6 PQFN封装选择。

IRFHE4250D符合工业标准及第二级湿度敏感度 (MSL2) 标准,并采用了6×6 PQFN顶部外露封装,备有符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 的环保物料清单。

规格

器件编号

封装

电流额定值

4.5V下的

典型/最高

导通电阻

4.5V下的

典型QG (nC)

4.5V下的典型QGD (nC)

IRFHE4250D

PQFN

6mm × 6mm

60A

3.2 / 4.1

1.35 / 1.0

13

35

5. × 13


产品现已接受批量订单,相关数据请浏览IR的网站http://www.irf.com

IR简介
国际整流器公司 (简称 IR,纽约证交所代号 IRF) 是全球功率半导体和管理方案领导厂商。IR 的模拟及混合信号集成电路、先进电路器件、集成功率系统和器件广泛应用于驱动高性能计算设备及降低电机的能耗 (电机是全球最大耗能设备) ,是众多国际知名厂商开发下一代计算机、节能电器、照明设备、汽车、卫星系统、宇航及国防系统的电源管理基准。

IR 成立于 1947 年,总部设在美国洛杉矶,在二十个国家设有办事处。IR 全球网站:www.irf.com,中国网站:www.irf.com.cn
(责任编辑:homey)
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