德州仪器推出NexFET™ N沟道功率MOSFET可实现业界最低电阻

本文作者:德州仪器 (TI)       点击: 2015-01-22 11:53
前言:
采用5 mm x 6 mm QFN封装并集成超低导通电阻的25 V和30 V器件
2015年1月22日--日前,德州仪器 (TI) 推出其NexFET™ 产品线11款新型N沟道功率MOSFET,其中包括具有业界最低导通电阻并采用QFN 封装的25-V CSD16570Q5B 和 30-V CSD17570Q5B,可应用于热插拔和ORing应用。此外,TI面向低电压电池供电型应用的新型12-V FemtoFET™ CSD13383F4在采用0.6 mm x 1mm纤巧型封装的情况下实现了比同类竞争器件低84% 的极低电阻。如需获取更多信息、样片或参考设计,敬请访问:www.ti.com.cn/csd16570q5b-pr-cn
 
CSD16570Q5B和CSD17570Q5B NexFET MOSFET可在较高电流条件下提供较高的电源转换效率,同时在计算机服务器和电信应用中确保安全的运作。例如:25-V CSD16570Q5B 支持0.59 mΩ的最大导通电阻,而30-V CSD17570Q5B 则实现了0.69 mΩ 的最大导通电阻。请下载阅读一款采用 TI CSD17570Q5B NexFET的12V、60A热插拔参考设计,来进一步进行了解。
 
    TI 的新型 CSD17573Q5B和CSD17577Q5A可与面向DC/DC控制器应用的LM27403配合使用,从而构成一套完整的同步降压型转换器解决方案。CSD16570Q5B 和 CSD17570Q5B NexFET功率MOSFET则可与诸如TPS24720等TI热插拔控制器配套使用。阅读 《稳健可靠的热插拔设计》,可进一步了解如何将一个晶体管选用为传输元件,以及怎样在所有可能的情况下确保安全运作。
 
如下是TI 推出具有业界最低导通电阻的NexFET™ N沟道功率MOSFE。
 
新型 NexFET 产品及主要特点

器件型号

应用

Vds/Vgs

封装 (mm)

导通电阻最大值 (mΩ)

Qg (4.5) (nC)

4.5V

10V

CSD16570Q5B

ORing / 热插拔

25/20

QFN 5x6 (Q5B)

0.82

0.59

95

CSD17570Q5B

30/20

0.92

0.69

93

CSD17573Q5B

低端降压 / ORing / 热插拔

30/20

QFN 5x6 (Q5B)

1.45

1.0

49

CSD17575Q3

低端降压

30/20

QFN 3.3x3.3 (Q3)

3.2

2.3

23

CSD17576Q5B

QFN 5x6 (Q5B)

2.9

2.0

25

CSD17577Q5A

高端降压

30/20

QFN 5x6 (Q5A)

5.8

4.2

13

CSD17577Q3A

QFN 3.3x3.3 (Q3A)

6.4

4.8

13

CSD17578Q3A

9.4

7.3

7.9

CSD17579Q3A

14.2

10.2

5.3

CSD85301Q2

双路独立 FET

20/10

QFN 2x2 (Q2)

27

不适用

4.2

CSD13383F4

负载开关

12/10

FemtoFET 0.6x1.0 (0402)

44

不适用

2.0

 
供货情况、封装和价格
目前,FemtoFET CSD13383F4 以及 CSD17670Q5B 和 CSD17570Q5B 产品可通过 TI 及其授权分销商批量采购。
 
关于 TI 的 NexFET 功率 MOSFET
TI 的 NexFET 功率 MOSFET提升了高功率计算、网络、工业和电源应用中的能量效率。此类高频、高效率的模拟功率 MOSFET 使得系统设计人员能够运用现有的最先进的DC/DC电源转换解决方案。