德州仪器推出NexFET™ N沟道功率MOSFET可实现业界最低电阻
前言：
采用5 mm x 6 mm QFN封装并集成超低导通电阻的25 V和30 V器件
2015年1月22日--日前，德州仪器 (TI) 推出其NexFET™ 产品线11款新型N沟道功率MOSFET，其中包括具有业界最低导通电阻并采用QFN 封装的25-V CSD16570Q5B 和 30-V CSD17570Q5B，可应用于热插拔和ORing应用。此外，TI面向低电压电池供电型应用的新型12-V FemtoFET™ CSD13383F4在采用0.6 mm x 1mm纤巧型封装的情况下实现了比同类竞争器件低84% 的极低电阻。如需获取更多信息、样片或参考设计，敬请访问：www.ti.com.cn/csd16570q5b-pr-cn。
CSD16570Q5B和CSD17570Q5B NexFET MOSFET可在较高电流条件下提供较高的电源转换效率，同时在计算机服务器和电信应用中确保安全的运作。例如：25-V CSD16570Q5B 支持0.59 mΩ的最大导通电阻，而30-V CSD17570Q5B 则实现了0.69 mΩ 的最大导通电阻。请下载阅读一款采用 TI CSD17570Q5B NexFET的12V、60A热插拔参考设计，来进一步进行了解。
TI 的新型 CSD17573Q5B和CSD17577Q5A可与面向DC/DC控制器应用的LM27403配合使用，从而构成一套完整的同步降压型转换器解决方案。CSD16570Q5B 和 CSD17570Q5B NexFET功率MOSFET则可与诸如TPS24720等TI热插拔控制器配套使用。阅读 《稳健可靠的热插拔设计》，可进一步了解如何将一个晶体管选用为传输元件，以及怎样在所有可能的情况下确保安全运作。
如下是TI 推出具有业界最低导通电阻的NexFET™ N沟道功率MOSFE。
新型 NexFET 产品及主要特点
|
器件型号 |
应用 |
Vds/Vgs |
封装 (mm) |
导通电阻最大值 (mΩ) |
Qg (4.5) (nC) |
|
|
4.5V |
10V |
|||||
|
CSD16570Q5B |
ORing / 热插拔 |
25/20 |
QFN 5x6 (Q5B) |
0.82 |
0.59 |
95 |
|
CSD17570Q5B |
30/20 |
0.92 |
0.69 |
93 |
||
|
CSD17573Q5B |
低端降压 / ORing / 热插拔 |
30/20 |
QFN 5x6 (Q5B) |
1.45 |
1.0 |
49 |
|
CSD17575Q3 |
低端降压 |
30/20 |
QFN 3.3x3.3 (Q3) |
3.2 |
2.3 |
23 |
|
CSD17576Q5B |
QFN 5x6 (Q5B) |
2.9 |
2.0 |
25 |
||
|
CSD17577Q5A |
高端降压 |
30/20 |
QFN 5x6 (Q5A) |
5.8 |
4.2 |
13 |
|
CSD17577Q3A |
QFN 3.3x3.3 (Q3A) |
6.4 |
4.8 |
13 |
||
|
CSD17578Q3A |
9.4 |
7.3 |
7.9 |
|||
|
CSD17579Q3A |
14.2 |
10.2 |
5.3 |
|||
|
CSD85301Q2 |
双路独立 FET |
20/10 |
QFN 2x2 (Q2) |
27 |
不适用 |
4.2 |
|
CSD13383F4 |
负载开关 |
12/10 |
FemtoFET 0.6x1.0 (0402) |
44 |
不适用 |
2.0 |
供货情况、封装和价格
目前，FemtoFET CSD13383F4 以及 CSD17670Q5B 和 CSD17570Q5B 产品可通过 TI 及其授权分销商批量采购。
目前，FemtoFET CSD13383F4 以及 CSD17670Q5B 和 CSD17570Q5B 产品可通过 TI 及其授权分销商批量采购。
关于 TI 的 NexFET 功率 MOSFET
TI 的 NexFET 功率 MOSFET提升了高功率计算、网络、工业和电源应用中的能量效率。此类高频、高效率的模拟功率 MOSFET 使得系统设计人员能够运用现有的最先进的DC/DC电源转换解决方案。
TI 的 NexFET 功率 MOSFET提升了高功率计算、网络、工业和电源应用中的能量效率。此类高频、高效率的模拟功率 MOSFET 使得系统设计人员能够运用现有的最先进的DC/DC电源转换解决方案。
