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ST新款128Mbit Flash提供双位晶胞技术

时间:2003-03-01 00:00来源:compotechasia.com 作者:admin 点击:
ST推出一系列使用双位晶胞(multi-bit cell)技术,采用0.15微米制程的闪存系列产品。双位晶胞技术能在每个晶胞中储存两个位的数据,与单位元晶胞技术相比,能降低50%的内存数组面积。此外,这些新的内存也是代码与数据储存的理想应用,它们可大幅节省所占的板面空间。


结合晶胞技术与ST最新的NOR闪存制程,制造出高密度、高速与更可靠的存储元件。这些新的内存适用于低成本的储存应用,包括数字视讯转换盒与数字相机、网络浏览器、行动电话与PDA、网络设备、游戏与固态储存磁盘。


ST目前已开始供应两款128Mbit的闪存组件──M58LW128A与M58LW128B。M58LW128A带有16位宽的数据总线,M58LW128B则能以16位或32位宽的数据总线配置。它们都由128个1Mbit的区块组成,允许单一组件同时储存代码与数据数据,从而改善系统效能并节省板面空间。每个区块都拥有自己的安全机制以保护启动代码或数据。


两款组件均可操作于单一供给电压条件,这使其适用于手持式应用。写入、擦除与读取等功能仅需使用2.7V~3.6V的电压供给(VDD),同时其输入/输出缓冲电压供给范围(VDDQ)也仅在1.8V~VDD (VDDQ)之间。


同时,ST延伸特殊应用闪存产品线,M58WR128E是一款带有非对称区块架构的高效能128位闪存组件。该组件被分割为总数263个区块的4Mbit记忆库,共有31个记忆库,每个记忆库含有8个32Kwords区块,一个参数记忆库则内含8个4Kwords的参数区块,以及7个主要的32Kwords区块。这种记忆库架构允许两种操作:当其中一个记忆库进行写入或擦除时,其它记忆库也能同时执行写入功能。M58WR128ET的参数区块位于内存地址空间顶端,M58WR128EB的则位于底部。每个区块的写入与读写次数都超过100,000次


结合高密度、弹性化与低功耗等特性,M58WR128E已成为无线手持装置与其它可携式产品的理想应用。ST目前可供应样品,预计2003年第二季量产。M58WR128E同时有多任务地址/数据总线版本。


M58LW032C与M58LW064C闪存是代码与数据储存的最佳单芯片解决方案。它们同时是视讯转换合的理想应用,这是其目前的主力应用领域,未来这两款组件还将延伸到通讯(如蜂巢式电话与PDA)、网络(如路由器)、PC与外围(如打印机)、汽车(如车用多媒体平台),以及工业(如GPS系统与医疗设备)等应用领域。


想得知更多ST闪存信息,请查阅www.st.com/flash。





 ST与SpaceBridge为新一代双向宽频无线存取STB,合作开发高度整合的IC:目标是为真正的宽频无线存取、高清晰度电视与交互式电视提供比现有ADSL与Cable Modem速据率高出20倍(达155Mbps)的解决方案。这一系列产品包含射频与数字组件、软件工具组(AirOETM)、媒体存取层(MAC)与实体层(PHY)、AirOETM组件、终端与网络管理模块。


(责任编辑:admin)
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