英飞凌的内存产品处于业界领先地位，采用了一些新的理念，比如：双晶片（dual-die）技术或面向移动计算的创新连接器技术。英飞凌以此为基础推出了：
* 2GB双晶片DDR2 SO-DIMM （双倍数据速率，小外形双列直插内存模块），散热条件和功耗都得以改善。英飞凌2GB DDR2 SO-DIMM是利用 8个双晶片 2Gb DDR2 颗粒制成的，可在30mm标准高度和3.8mm厚度上实现当前最高的2GB密度。该模块是Dual-rank内存，工作电压为1.8V。
以最小DIMM尺寸提供最大内存密度的1GB DDR2 Micro-DIMM。1GB DDR2 Micro-DIMM以 8个单晶片1Gb DDR2颗粒为基础，扩展了英飞凌的DDR2 Micro-DIMM产品组合（已有256MB 和512MB Micro-DIMM）。
英飞凌同时还扩展了其显存产品组合，推出了两款面向高性能和主流系统应用的新产品：
512MB GDDR3（图形双数据速率3）显存，密度和带宽都得以增加以满足高级 3D图形所需。新型 GDDR3 16Mb ×32组件的时钟频率为800MHz，数据带宽可高达 51.2Gbps。
新型256MB DDR2图形RAM （随机访问内存），功能更多，体积更小，速度高达450MHz。256Mb DDR2采用了小型FBGA-84封装，工作电压为1.8V，这使其适用于最新的台式机和笔记本电脑应用。
* 2GB双晶片DDR2 SO-DIMM （双倍数据速率，小外形双列直插内存模块），散热条件和功耗都得以改善。英飞凌2GB DDR2 SO-DIMM是利用 8个双晶片 2Gb DDR2 颗粒制成的，可在30mm标准高度和3.8mm厚度上实现当前最高的2GB密度。该模块是Dual-rank内存，工作电压为1.8V。
以最小DIMM尺寸提供最大内存密度的1GB DDR2 Micro-DIMM。1GB DDR2 Micro-DIMM以 8个单晶片1Gb DDR2颗粒为基础，扩展了英飞凌的DDR2 Micro-DIMM产品组合（已有256MB 和512MB Micro-DIMM）。
英飞凌同时还扩展了其显存产品组合，推出了两款面向高性能和主流系统应用的新产品：
512MB GDDR3（图形双数据速率3）显存，密度和带宽都得以增加以满足高级 3D图形所需。新型 GDDR3 16Mb ×32组件的时钟频率为800MHz，数据带宽可高达 51.2Gbps。
新型256MB DDR2图形RAM （随机访问内存），功能更多，体积更小，速度高达450MHz。256Mb DDR2采用了小型FBGA-84封装，工作电压为1.8V，这使其适用于最新的台式机和笔记本电脑应用。
