GLOBALFOUNDRIES推出强化型55纳米CMOS逻辑制程采用ARM下一代存储器和逻辑IP，适合低电压应用

GLOBALFOUNDRIES今日宣布将公司的 55 奈米 (nm) 低功耗强化型 (LPe)制程技术平台进行了最新技术强化, 推出具备ARM公司合格的下一代存储器和逻辑IP解决方案的 55nm LPe 1V 。“55nm LPe 1V”是业内首个且唯一支持ARM 1.0/1.2V物理IP库的强化型制程节点，使芯片设计人员能够在单一系统级芯片（SoC）中使用单一制程同时支持两个工作电压。

GLOBALFOUNDRIES产品营销副总裁Bruce Kleinman表示：“‘55nm LPe 1V’的核心优势在于，一个设计库可同时适用于1.0伏电压及1.2伏电压的设计环境。这意味着设计人员可以在该平台上始终采用同一套设计规则和模型，无需增加额外光罩层数或特殊制程，在保证功耗效率和性能优化的同时节省了成本且提高了设计灵活性。”

基于ARM的1.0V/1.2V标准单元和存储器编译器，GLOBALFOUNDRIES “55nm LPe 1V”能够帮助设计人员在速度、功耗和面积设计方面获得优化，特别有利于在设计SoC解决方案时面临功耗限制的设计人员。

ARM为GLOBALFOUNDRIES先进的55纳米LPe制程提供了全面的8轨、9轨和12轨库的硅晶验证平台，以及高速、高密度存储器编译器。

ARM公司物理IP部门营销副总裁John Heinlein博士表示：“1伏和1.2伏操作环境的结合，以及对逻辑电平转换的支持，可以提供低功耗、高性能和更小芯片面积的完美结合。与之前的解决方案相比，双电压特性及Artisan下一代存储器编译器架构减少了至少35%的动态功耗和静态功耗。”

“55nm LPe 1V”尤其适用于大容量、电池供电的移动消费设备以及各种绿色节能产品。制程设计(PDK)和电子设计自动化(EDA)工具包现已面市，并提供多项目晶圆(MPW)服务。

Artisan存储器提供了灵活的生产选择，被广泛应用于全世界数十亿产品。这些下一代存储器是更广泛的65纳米至20纳米Artisan物理IP平台的组成部分，其特性包括：可延长电池寿命的低电压和待机模式，可实现最快处理器速度的超高速缓存，以及可减少低成本SoC设计面积的专有设计工艺。

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