Crolles2联盟开发的超高密度SRAM单元

Crolles2联盟日前宣读一篇有关在正常制造条件下采用标准CMOS体效应技术和45纳米设计规则制造面积小于0.25平方微米的六晶体管SRAM位单元的论文，这个单元尺寸比先前的解决方案缩小了一半。
Crolles2联盟是由飞思卡尔半导体、飞利浦和意法半导体三家公司组成的研发联盟，1.5-Mbit阵列已经在联盟位于法国Crolles的300-mm圆晶试生产线上制造成功。Crolles2联盟是业界最大的研发联盟之一，在65-nm 和45-nm CMOS设计节点上居世界领先水平，这篇合作创作的论文强调了联盟在研发上连续取得的成功。
先进的Crolles2圆晶制造线正在300 mm上试产90纳米CMOS器件，并计划于2005年试产65纳米CMOS器件。在45纳米节点上取得新成功被视为进入未来的大容量制造工艺的跳板。
为了迎接这一挑战，Crolles2联盟正在评估扩展普通的CMOS工艺技术，在45纳米节点制造SRAM单元，同时取得所需的单元和晶体管性能。依靠联盟在90和65纳米节点上的技术经验，工程师开发出了一个采用现有材料和流程并最大化技术模块再用率的工艺。